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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种异质集成电光调制器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124213.3，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种异质集成电光调制器件及其制备方法是由刘敬伟;李超;李春龙;周良;蔡丰任;张彦乐;花晓强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质集成电光调制器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种异质集成电光调制器件及其制备方法，方法包括：在衬底上依次形成下包层和波导芯层，对波导芯层图形化形成波导芯，形成第一键合介质层，将波导芯和下包层覆盖；在波导芯的两侧形成凹槽，形成金属层，将凹槽和第一键合介质层覆盖，在形成的金属凹槽内形成图形化的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行灰化，以灰化后的第一光刻胶层为掩模，通过干法刻蚀图形化金属层，再去除第一光刻胶层，形成电极；在电极上形成图形化的第二光刻胶层，湿法刻蚀去除凹槽内残留金属层，再去除第二光刻胶层；在凹槽内填充第二键合介质层，在第一键合介质层和第二键合介质层的表面形成电光材料层。本发明可以兼顾低的光传播损耗和高的CMOS工艺兼容性。

本发明授权一种异质集成电光调制器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成下包层和波导芯层，对所述波导芯层图形化后形成波导芯，形成第一键合介质层，以通过所述第一键合介质层将所述波导芯和所述下包层覆盖； 在所述波导芯的两侧分别形成凹槽，所述凹槽的槽底从所述第一键合介质层延伸至所述下包层中； 形成金属层，以通过所述金属层将所述凹槽的表面和所述第一键合介质层的表面覆盖，且所述金属层覆盖在所述凹槽表面后形成金属凹槽，在所述金属凹槽内形成图形化的第一光刻胶层； 对所述第一光刻胶层进行灰化处理，使所述第一光刻胶层的宽度减小； 以灰化后的所述第一光刻胶层为掩模，通过干法刻蚀图形化所述金属层，再去除所述第一光刻胶层，以在所述凹槽内形成电极； 在所述电极上形成图形化的第二光刻胶层，以通过所述第二光刻胶层将所述电极覆盖，通过湿法刻蚀去除所述凹槽内侧壁处的残留金属层，再去除所述第二光刻胶层； 在所述凹槽内沉积填充第二键合介质层，并使所述第二键合介质层和所述第一键合介质层所形成的表面平坦，在所述第一键合介质层和所述第二键合介质层的表面上形成电光材料层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司，其通讯地址为：101499 北京市怀柔区大中富乐村北红螺东路21号56幢1层106-15室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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