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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种氮化物半导体蓝光激光器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905898B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510103969.X，技术领域涉及：H01S5/11；该发明授权一种氮化物半导体蓝光激光器元件是由陈呈杰;郑锦坚;胡志勇;曹军;蓝家彬;寻飞林;邓和清;蔡鑫;陈婉君;李晓琴;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化物半导体蓝光激光器元件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种氮化物半导体蓝光激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层与下波导层之间设置有拓扑光子电子复合平带层，拓扑光子电子复合平带层具有折射率系数分布特性和禁带宽度分布特性。本发明使电子能带和光子能带在动量空间中形成高维度的线简并，增强自由电子与光子的相互作用强度，克服自由电子与光子的相位失配，激发自由电子的辐射强度，提升自由电子耦合光量子效率，实现全能量‑动量匹配的平带共振，增强激光远场辐射，提升激光模式增益和光功率。

本发明授权一种氮化物半导体蓝光激光器元件在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体蓝光激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述下限制层与下波导层之间设置有拓扑光子电子复合平带层，所述拓扑光子电子复合平带层包括从下至上依次设置的第一拓扑光子电子复合平带层、第二拓扑光子电子复合平带层和第三拓扑光子电子复合平带层，所述第一拓扑光子电子复合平带层、第二拓扑光子电子复合平带层和第三拓扑光子电子复合平带层均具有折射率系数分布特性和禁带宽度分布特性； 所述第一拓扑光子电子复合平带层的折射率系数呈线性函数分布； 所述第二拓扑光子电子复合平带层的折射率系数呈y1＝A+B*ex1sinx1曲线分布； 所述第三拓扑光子电子复合平带层的折射率系数呈y2＝C+D*sinx2x2 2第三象限曲线分布； 所述第一拓扑光子电子复合平带层的禁带宽度呈线性函数分布； 所述第二拓扑光子电子复合平带层的禁带宽度呈y3＝E+F*x1 2+G*sinx1曲线分布； 所述第三拓扑光子电子复合平带层的禁带宽度呈y4＝x2ex2曲线分布； 其中，x1为第二拓扑光子电子复合平带层往第三拓扑光子电子复合平带层方向的深度，x2为第三拓扑光子电子复合平带层往下波导层方向的深度。

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