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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120016288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510084798.0，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件是由邓和清;郑锦坚;寻飞林;陈婉君;蔡鑫;蓝家彬;刘紫涵;黄军;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有应变极性拓扑层，所述应变极性拓扑层包括第一应变极性拓扑层、第二应变极性拓扑层和第三应变极性拓扑层。本发明采用特定自发极化系数分布和特定菲利浦电离度分布产生极性反涡和极性拓扑特性，屏蔽力学损耗，降低有源层的应变极化效应，降低空穴注入势垒，提升载流子注入均匀性，提升有源层的电子空穴波函数的交叠几率，提升激光器的模式增益，增强限制因子和增益均匀性，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。

本发明授权一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102）、有源层（103）、上波导层（104）、上限制层（105），其特征在于，所述上波导层（104）与上限制层（105）之间具有应变极性拓扑层（106）， 所述应变极性拓扑层（106）为GaN、InGaN、InN、AlInN、AlGaN、AlInGaN、AlN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、InGaAsN、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP、GaSb、InSb、InAs、InAsSb、AlGaSb、AlSb、InGaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb、SiC、Ga2O3、BN、金刚石的任意一种或任意组合的一种； 所述应变极性拓扑层（106）包括第一应变极性拓扑层（106a）、第二应变极性拓扑层（106b）和第三应变极性拓扑层（106c）； 所述第一应变极性拓扑层（106a）的自发极化系数分布具有函数y1=A+B*ln（x+1）（x-1）曲线分布，第二应变极性拓扑层（106b）的自发极化系数分布具有函数y2=C+D*ax曲线分布，其中a＞1，第三应变极性拓扑层（106c）的自发极化系数分布具有函数y3=E+F*xex曲线分布。

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