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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种多芯片并联功率模块动态均流布局设计方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119865034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510037129.8，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权一种多芯片并联功率模块动态均流布局设计方法及系统是由王智强;闫兴园;吴云禅设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片并联功率模块动态均流布局设计方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体器件领域，公开了一种多芯片并联功率模块动态均流布局设计方法及系统，该方法包括主功率回路布局布线和驱动回路布局布线两个方面。主功率回路垂直换流设计，且并联芯片源极、漏极一体化设计，可使芯片准共源极电感一致且一体化，有助于氮化镓多芯片并联动态均流；驱动回路布线垂直换流并且与主功率回路垂直设计，功率回路对驱动回路的互感基本为0，有利于氮化镓芯片并联动态均流；当满足以上设计的同时四颗芯片栅极引出端、开尔文源极引出端关于主功率回路对称轴对称时，主功率回路对驱动至每颗芯片栅极布线的部分互感相等，且主功率回路对每颗芯片开尔文源极至驱动地布线互感也相等，可以实现优异的氮化镓多芯片并联动态均流效果。

本发明授权一种多芯片并联功率模块动态均流布局设计方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种多芯片并联功率模块动态均流布局设计方法，其特征在于，包括以下步骤： 1）主功率回路布局布线设计： 平面型GaN芯片并联时，按照“手拉手”形式并排放置，形成对称布局； 半桥模块的功率回路布局采用垂直换流结构； 将并联芯片的源极和漏极在满足绝缘要求的条件下就近互连，并联多芯片源极、漏极布局布线成为一个集成的整体； 2）驱动回路布局布线设计： 并联的四颗芯片，芯片1和芯片2“手牵手”并引出栅极，芯片3和芯片4“手牵手”并引出栅极，且两个引出端关于主功率回路对称轴对称；四颗芯片的开尔文源极引出端选择最靠近每颗芯片栅极引出端的源极，同时关于对称轴基本对称； 驱动信号布线在满足绝缘要求的条件下进行水平布线，依次连接芯片栅极引出端，并保证栅极布线关于主功率回路对称轴对称； 开尔文源极引出端布线水平连接至驱动电路地电位，并与驱动信号布线上下重合，构成垂直换流结构，以降低驱动回路的自感值并使功率回路对驱动回路的互感接近于零。

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