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龙图腾网获悉广东新巨微电子有限公司申请的专利一种高介电常数陶瓷基片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119751125B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411950310.X，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种高介电常数陶瓷基片及其制备方法是由邝国威;梁传勇;魏永勇;赵中耀设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高介电常数陶瓷基片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高介电常数陶瓷基片及其制备方法，涉及陶瓷基片制备技术领域，半导化的SrTiO3陶瓷基片和绝缘薄膜；将绝缘薄膜设于SrTiO3陶瓷基片的两相对的平面上；其中，通过磁控真空溅射将纯铝溅射至SrTiO3陶瓷基片的两个面上形成铝薄膜，再进行热处理；使铝薄膜的表面形成Al2O3层、铝薄膜‑SrTiO3陶瓷基片之间的界面形成掺杂界面层；Al2O3层和掺杂界面层构成绝缘薄膜；绝缘薄膜的Al2O3层厚度随热处理的时间长而厚，使高介电常数性能陶瓷基片的绝缘耐压性能越高，介电损耗越低；在单层瓷介电容器上，实现较高的电容量与体积比，解决现有单层瓷介电容器存在电容量与体积比较低和介电损耗高的技术问题。

本发明授权一种高介电常数陶瓷基片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高介电常数陶瓷基片，其特征在于， 包括半导化的SrTiO3陶瓷基片和绝缘薄膜，所述绝缘薄膜设于所述SrTiO3陶瓷基片的两相对的平面上； 其中，将纯铝通过磁控真空溅射至所述SrTiO3陶瓷基片的两个面上，在所述SrTiO3陶瓷基片的两个面上形成铝薄膜； 所述铝薄膜的厚度随溅射时间长而厚，所述铝薄膜的厚度为0.1～3.0μm； 将溅射有所述铝薄膜的所述SrTiO3陶瓷基片送入马弗炉中，在30分钟内加热至热处理温度，再进行保温操作，实现热处理；热处理结束后使所述SrTiO3陶瓷基片自然冷却至室温；从而使所述铝薄膜的表面形成Al2O3层、所述铝薄膜-所述SrTiO3陶瓷基片之间的界面形成掺杂界面层； 所述Al2O3层和所述掺杂界面层构成所述绝缘薄膜；以所述SrTiO3陶瓷基片和两层相对设置的所述绝缘薄膜构成高介电常数性能陶瓷基片； 所述绝缘薄膜在所述SrTiO3陶瓷基片上的厚度为0.1～3.0μm；所述绝缘薄膜的Al2O3层厚度随热处理的时间长而厚，使所述高介电常数性能陶瓷基片的绝缘耐压性能越高，介电损耗越低。

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