惠州启泰电子科技有限公司晁双保获国家专利权
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龙图腾网获悉惠州启泰电子科技有限公司申请的专利一种基于高分子硅胶体的柔性强磁钕铁硼磁体制备工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119480420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411886472.1,技术领域涉及:H01F41/02;该发明授权一种基于高分子硅胶体的柔性强磁钕铁硼磁体制备工艺是由晁双保设计研发完成,并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高分子硅胶体的柔性强磁钕铁硼磁体制备工艺在说明书摘要公布了:一种基于高分子硅胶体的柔性强磁钕铁硼磁体制备工艺,方法包括步骤:向体积为V1的第一硅胶中加入膨化剂,且第一硅胶膨胀后形成呈固态且体积为V2的第二硅胶,且满足关系式:V2≥4×V1;向第二硅胶中加入钕铁硼粉末并搅拌形成固液混合态的第三硅胶;将第三硅胶造粒加工形成硅胶颗粒,造粒加工中第三硅胶被两次加热至第一温度,并依次在第一温度下排出膨化剂;硅胶颗粒填充至模具中并静置冷却至第二温度T2,且模具竖直方向上方的第一压头和冲压端设有导正销的第二压头依次对硅胶颗粒冲压,被冲压的硅胶颗粒形成有硅胶体;硅胶体依次在第三温度下硫化并充磁形成硅胶磁体,硅胶磁体中,钕铁硼的质量为硅胶磁体质量的Qwt.%。
本发明授权一种基于高分子硅胶体的柔性强磁钕铁硼磁体制备工艺在权利要求书中公布了:1.一种基于高分子硅胶体的柔性强磁钕铁硼磁体制备工艺,其特征在于,所述工艺包括步骤: S10向体积为V1的第一硅胶中加入膨化剂,且所述第一硅胶膨胀后形成呈固态且体积为V2的第二硅胶,且满足关系式:V2≥4×V1; S20向所述第二硅胶中加入钕铁硼粉末并搅拌,所述钕铁硼粉末与所述第二硅胶粘合,且搅拌后形成固液混合态的第三硅胶; S30将所述第三硅胶造粒加工形成硅胶颗粒,造粒加工中所述第三硅胶被两次加热至第一温度T1,并依次在第一温度T1下排出膨化剂; S40所述硅胶颗粒填充至模具中并静置冷却至第二温度T2,在第二温度T2下,模具竖直方向上方的第一压头和冲压端设有导正销的第二压头依次对所述硅胶颗粒冲压,被冲压的硅胶颗粒形成有硅胶体;所述第一压头冲压硅胶颗粒后形成第一冲压孔;模具沿水平方向向前推进,当所述第二压头位于所述第一冲压孔正上方时,所述第二压头的导正销嵌入所述第一冲压孔,且所述第二压头冲压硅胶颗粒后形成第二冲压孔,冲压后形成的环状硅胶体沿所述第二冲压孔边缘脱离所述模具; S50所述硅胶体依次在第三温度T3下硫化并在磁场中充磁形成硅胶磁体,所述硅胶磁体中,钕铁硼的质量为所述硅胶磁体质量的Qwt.%。
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