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电子科技大学张铁笛获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利超宽带互联结构寄生电容优化结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119560483B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411720105.4,技术领域涉及:H01L23/538;该发明授权超宽带互联结构寄生电容优化结构是由张铁笛;陈子游设计研发完成,并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

超宽带互联结构寄生电容优化结构在说明书摘要公布了:本发明公开一种超宽带互联结构寄生电容优化结构,应用于信号传输领域,针对现有的封装结构传输性能较低的问题;本发明对于外部接口与芯片间的互联,采用外部接口SMA‑微带线‑类同轴‑带状线‑类同轴‑BGA焊球的互联结构,对于芯片与芯片间的互联,采用BGA‑类同轴‑带状线‑类同轴‑BGA的互联结构,通过优化调整,可以在0‑40GHz超宽带范围内实现外部接口与芯片间、芯片与芯片间的优良的互联性能。

本发明授权超宽带互联结构寄生电容优化结构在权利要求书中公布了:1.用于芯片与外部接口之间的超宽带封装互联结构,其特征在于,基于低温共烧陶瓷基板,采用外部接口SMA-微带线-第一类同轴-第一带状线-第二类同轴-BGA焊球的互联结构;微带线走线位于低温共烧陶瓷基板顶层地,微带线第一端连接外部接口SMA,微带线第二端连接第一类同轴第一端;第一类同轴第二端连接第一带状线第一端,所述第一带状线走线位于低温共烧陶瓷基板的金属地层;第一带状线第二端与第二类同轴第一端连接,第二类同轴第二端连接BGA焊球,BGA焊球与芯片接口连接; 第一类同轴与第二类同轴与所占用的低温共烧陶瓷基板的每一层通过焊盘连接; 第一类同轴与第二类同轴每层焊盘所引入的寄生电容与第一类同轴与第二类同轴自身走线所用传输线引入的寄生电感形成多阶LC匹配网络。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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