苏州镓耀半导体科技有限公司张义颖获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州镓耀半导体科技有限公司申请的专利一种CVD设备薄膜均匀沉积的腔室结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223357743U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422802766.3，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种CVD设备薄膜均匀沉积的腔室结构是由张义颖;雍晓龙;何奇设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CVD设备薄膜均匀沉积的腔室结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种CVD设备薄膜均匀沉积的腔室结构，反应腔与石墨盘同水平高度的一侧设有进气管，反应腔与石墨盘同水平高度的另一侧设有排气装置，进气管、石墨盘上衬底及排气装置处于大约同一水平面，实现了反应气体由进气管进入反应腔横向吹向石墨盘顶部的晶片衬底完成薄膜沉积，实现了气体流动平行于衬底表面进行沉积，解决了垂直于衬底表面沉积方式产生的沉积厚度不均的问题，提高了薄膜沉积厚度的均匀性；压制气体通过压制气管进入压制气腔内部然后通过气孔板垂直排入反应腔内部，压制气体首选氮气，压制气体对水平流动的反应气体向下压制，使得更大量的反应气体沉积在衬底表面，提高了沉积速度。
本实用新型一种CVD设备薄膜均匀沉积的腔室结构在权利要求书中公布了：1.一种CVD设备薄膜均匀沉积的腔室结构，包括腔室主体1及腔盖结构2，所述腔室主体1与所述腔盖结构2可打开及闭合连接，其特征在于：所述腔室主体1包括加热腔4及反应腔3，所述加热腔4与所述反应腔3可导热隔绝设置，所述加热腔4内部设有加热器41可对反应腔3加热，所述反应腔3内部设有可放置晶片衬底的石墨盘34，所述反应腔3与石墨盘34同水平高度的一侧设有进气一管31及进气二管32，所述反应腔3与石墨盘34同水平高度的另一侧设有排气装置，反应气体由所述进气一管31及进气二管32进入所述反应腔3横向吹向所述石墨盘34顶部的晶片衬底完成薄膜沉积，反应气体由所述排气装置排出反应腔3。
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