深圳市元视芯智能科技有限公司高巍获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市元视芯智能科技有限公司申请的专利H型源极跟随器晶体管及图像传感器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223364473U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422805980.4,技术领域涉及:H10D30/60;该实用新型H型源极跟随器晶体管及图像传感器是由高巍;王栋;高云飞设计研发完成,并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本H型源极跟随器晶体管及图像传感器在说明书摘要公布了:本实用新型涉及图像传感器技术领域,公开了一种H型源极跟随器晶体管和图像传感器,包括衬底、隔离区域、源极区域、栅极区域和漏极区域;栅极区域大致为H型,栅极区域的相对两端形成有开口;源极区域和漏极区域分别设于栅极区域相对两端的开口处,栅极区域相对两端的开口两侧分别为栅极区域与源极区域有源区、漏极区域有源区之间的交叠区域;隔离区域包括浅沟槽隔离结构,通过采用H型的栅极区域,使得电流经过沟道时能够远离浅沟槽隔离结构的边缘区域,从而能够有效降低随机噪声RN和随机电报信号噪声RTS;图像传感器能够在保持像素性能的同时,提升低光条件下的成像质量。
本实用新型H型源极跟随器晶体管及图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种H型源极跟随器晶体管,其特征在于,包括衬底、隔离区域、源极区域、栅极区域和漏极区域;其中, 所述栅极区域大致为H型,H型的所述栅极区域的相对两端形成有开口; 所述源极区域和所述漏极区域分别设于所述栅极区域相对两端的开口处,所述栅极区域相对两端的开口两侧分别为所述栅极区域与所述源极区域有源区、所述漏极区域有源区之间的交叠区域; 所述隔离区域用于对所述源极区域、栅极区域、漏极区域进行隔离,所述隔离区域包括浅沟槽隔离结构。
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