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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种三结全钙钛矿叠层太阳能电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486555B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411606169.1，技术领域涉及：H10K71/20；该发明授权一种三结全钙钛矿叠层太阳能电池组件是由谭海仁;朱禾生;林仁兴;刘润楠;刘锦活设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三结全钙钛矿叠层太阳能电池组件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三结全钙钛矿叠层太阳能电池组件，包括基底层和三个串联的电池单元。本发明先通过划刻第四间隔槽PX将第二空穴传输层及以下的功能层刻蚀构建了三结全钙钛矿叠层太阳能电池的四重图案化结构，解决了电池短路及分流的现象，之后通过钝化溶液、宽禁带半导体或绝缘层与受损处的钙钛矿反应形成二维结构，即修复型TypeⅠ型异质结钝化层结构，减少了载流子的非辐射复合，进一步提升电池光电转换性能。

本发明授权一种三结全钙钛矿叠层太阳能电池组件在权利要求书中公布了：1.一种三结全钙钛矿叠层太阳能电池组件，其特征在于，采用以下步骤制备： 步骤1，提供基底层，在所述基底层上沉积透明导电层，在所述透明导电层上进行划刻，形成贯穿所述透明导电层的第一间隔槽； 步骤2，在所述透明导电层上制备第一空穴传输层； 步骤3，在所述第一空穴传输层上制备第一钙钛矿吸光层； 步骤4，在所述第一钙钛矿吸光层上制备第一电子传输层，在所述第一电子传输层上制备第一空穴阻挡层； 步骤5，在所述空穴阻挡层上制备第一互联层； 步骤6，在所述第一互联层上制备第二空穴传输层； 步骤7，在所述第二空穴传输层上进行划刻，形成贯穿至所述基底层的第四间隔槽； 步骤8，向第四间隔槽中填充钝化溶液或沉积宽禁带半导体绝缘层，以在第一钙钛矿吸光层损伤处形成修复型TypeⅠ型异质结钝化层； 步骤9，在所述第二空穴传输层上制备第二钙钛矿吸光层； 步骤10，在所述第二钙钛矿吸光层上制备第二电子传输层，在所述第二电子传输层上制备第二空穴阻挡层； 步骤11，在所述第二空穴阻挡层上制备第二互联层； 步骤12，在所述第二互联层上制备第三空穴传输层； 步骤13，在所述第三空穴传输层上制备第三钙钛矿吸光层； 步骤14，在所述第三钙钛矿吸光层上制备第三电子传输层，在所述第三电子传输层上制备第三空穴阻挡层； 步骤15，在所述第三空穴阻挡层上进行划刻，形成贯穿至所述基底层的第二间隔槽； 步骤16，在所述第三空穴阻挡层上制备保形防扩散层； 步骤17，在所述保形防扩散层上制备电极层； 步骤18，在所述电极层上进行划刻，形成贯穿至所述基底层的第三间隔槽。

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