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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411605588.3，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法是由夏俊生;李波;侯育增;姚道俊;王星鑫设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法，它包括封装基板（1），在封装基板（1）上设有埋置槽（11）和BGA焊球（2），在埋置槽（11）内连接有多层芯片互联组件（3），在多层芯片互联组件（3）上连接有AlN基片（5），在埋置槽（11）内填注导热绝缘胶（6），AlN基片（5）通过金丝球键合实现与封装基板导体之间的电学连接。本发明提供的制备方式采用多层芯片互联组件内埋结构，明显提升了芯片埋置电路的集成效率、功能密度以及集成封装的散热能力，充分利用了内部结构空间，提升了高密度集成水平和封装可靠性。

本发明授权一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种混合集成电路的芯片埋置结构的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤： S1、取陶瓷封装基板（1），在封装基板（1）上设有埋置槽（11）； S2、在封装基板（1）底面上均布有一组BGA焊球（2）； S3、在埋置槽（11）底面上均布有一组散热孔（12），在散热孔（12）内填充有散热金属柱（13），同时用于封装基板正背面的电学连接，在埋置槽（11）底面上设有覆盖散热孔（12）的导电的金属层（14）； S4、在金属层（14）上设有多层芯片互联组件（3），多层芯片互联组件（3）包括从上到下纵向分布的一片顶层芯片（3a）、若干叠层芯片（3b）和一片底层芯片（3e），叠层芯片（3b）上表面均设有PAD焊区，在顶层芯片（3a）和叠层芯片（3b）的下表面上均布有一组与PAD焊区对应分布的第一导电凸点（3c），在叠层芯片（3b）和底层芯片（3e）上均设有一组硅通孔（3h）,在顶层芯片（3a）上设有一组开口向下的盲孔（3k），在硅通孔（3h）和盲孔（3k）内均填充有导电金属（3d），导电金属（3d）的一端与对应的第一导电凸点（3c）形成电性连接，另一端与PAD焊区形成电性连接，而后将底层芯片（3e）的底面上设有一组第二导电凸点（4）,底层芯片（3e中导电金属（3d）的一端与对应的第二导电凸点（4）形成电性连接，另一端与PAD焊区形成电性连接； S5、顶层芯片（3a）与最上层的叠层芯片（3b）之间、在每层叠层芯片（3b）之间和最下层的叠层芯片（3b）与底层芯片（3e）之间，均放置有石墨烯复合导热膜，在石墨烯复合导热膜（3g）上设有与第一导电凸点（3c）对应分布的让位孔，在石墨烯复合导热膜（3g）中与石墨烯复合的添加料包含氟化石墨烯和聚酰亚胺，在石墨烯复合导热膜上设有绝缘粘接胶层（13g），在让位孔的孔壁上也设有绝缘粘接胶层（13g），在绝缘粘接胶层（13g）中掺杂有非晶聚四氟乙烯和纳米氮化铝粉料；相邻芯片之间通过纳米银膏完成第一焊接互连，通过石墨烯导热膜粘接胶层实现相邻芯片上表面与下表面之间的连接，从而形成多层芯片互联组件（3）； S6、在金属层（14）上涂覆纳米银膏，而后将多层芯片互联组件（3）放入使得第二导电凸点（4）与纳米银膏接触，完成芯片互联组件（3）与金属层（14）纳米银膏焊接互连； S7、在埋置槽（11）内填注导热绝缘胶（6），导热绝缘胶（6）填充在多层芯片互联组件（3）与埋置槽（11）槽壁之间，以及多层芯片互联组件（3）与埋置槽（11）内底面之间的缝隙，直至导热绝缘胶（6）与顶层芯片（3a）上表面平齐，而后按照适用的温度和时间完成导热绝缘胶（6）的固化，导热绝缘胶（6）与绝缘粘接胶层（13g）材质相同； S8、在顶层芯片（3a）上表面上通过纳米银膏粘接有多层布线的AlN基片（5）； S9、采用金丝球键合方式，实现AlN基片的PAD区与封装基板导体之间的电学连接。

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