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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种氮化镓基半导体激光器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119401207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411581912.2，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种氮化镓基半导体激光器元件是由邓和清;郑锦坚;寻飞林;蓝家彬;蔡鑫;刘紫涵;张会康;黄军;张江勇;李水清设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基半导体激光器元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓基半导体激光器元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述有源层和下波导层之间设有量子自旋输运层。本发明使量子自旋输运层形成多个拓扑表面态共存的低维拓扑结构，形成狄拉克表面态，构建多重拓扑保护下长距离自旋输运，协同调控有源层和波导层的拓扑能带与自旋输运，提升自旋流‑电荷流转换效率，提升载流子注入有源层的均匀性，提升有源层的量子复合效率，提升激光器的斜率效率和光功率。

本发明授权一种氮化镓基半导体激光器元件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基半导体激光器元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、上限制层105，其特征在于，所述有源层103和下波导层102之间设有量子自旋输运层106； 所述量子自旋输运层106的电子迁移率分布具有函数y＝A+B*sinxex曲线分布；所述量子自旋输运层106的电子迁移率≤下波导层102的电子迁移率≤有源层103的电子迁移率； 所述量子自旋输运层106的电子有效质量分布具有函数y＝C+D*x2sinx第一象限曲线分布；所述有源层103的电子有效质量≤下波导层102的电子有效质量≤量子自旋输运层106的电子有效质量； 所述量子自旋输运层106的禁带宽度分布具有函数y＝E+F*exsinx曲线分布；所述有源层103的禁带宽度≤下波导层102的禁带宽度≤量子自旋输运层106的禁带宽度； 所述量子自旋输运层106的介电常数分布具有函数y＝G+H*x2+J*sinx曲线分布；所述量子自旋输运层106的介电常数≤下波导层102的介电常数≤有源层103的介电常数； 所述量子自旋输运层106的In元素浓度分布具有函数y＝K+L*x2+M*sinx曲线分布；所述量子自旋输运层106的In元素浓度≤下波导层102的In元素浓度≤有源层103的In元素浓度； 所述量子自旋输运层106的InH元素比例分布具有函数y＝N+P*x2+Q*sinx曲线分布；所述量子自旋输运层106的InH元素比例≤下波导层102的InH元素比例≤有源层103的InH元素比例； 所述量子自旋输运层106的InC元素比例分布具有函数y＝R+S*x2+T*sinx曲线分布；所述量子自旋输运层106的InC元素比例≤下波导层102的InC元素比例≤有源层103的InC元素比例； 所述量子自旋输运层106的InO元素比例分布具有函数y＝U+V*x2+W*sinx曲线分布；所述量子自旋输运层106的InO元素比例≤下波导层102的InO元素比例≤有源层103的InO元素比例； 所述量子自旋输运层106的电子迁移率分布、电子有效质量分布、禁带宽度分布、介电常数分布具有如下关系：C≤E≤G≤A；所述量子自旋输运层106的In元素浓度分布、InH元素比例分布、InC元素比例分布、InO元素比例分布具有如下关系：N≤U≤R≤K。

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