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龙图腾网获悉深圳市中实光电科技有限公司申请的专利高聚光LED光源制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364937B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411568227.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权高聚光LED光源制备方法是由刘建强;文健华;杨春福;陈永华;李沙沙;饶金芳;王兴;冯雄伟设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本高聚光LED光源制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED光源的技术领域，公开了高聚光LED光源制备方法，包括以下制备步骤：1、提供基板，基板中设有发光区，发光区中设有内围坝，内围坝包围形成中部区域；2、在中部区域上设置发光芯片，发光芯片与中部区域的内侧壁之间具有内环区域；3、设置荧光胶层；4、设置透光胶层，透光胶层的下部嵌入发光区中，与基板形成一体结构；透光胶层的上部延伸至基板的上方，形成上方段；透光胶层的下部嵌入在发光区中，可以与基板形成更稳固的整体结构，透光胶层的下部受到发光区的周向限制，限制透光胶层朝外周过大流动，可以保持透光胶层的上方段可以形成更高的拱起形状，以限制光线照射范围，实现高聚光照射的效果。

本发明授权高聚光LED光源制备方法在权利要求书中公布了：1.高聚光LED光源制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤： 1）、提供基板，所述基板中设有凹陷的发光区，所述发光区中设有内围坝，所述内围坝包围形成中部区域；所述发光区的外周具有外反光侧壁，所述外反光侧壁沿着发光区的外周环绕； 2）、在所述中部区域上设置发光芯片，所述发光芯片与中部区域的内侧壁之间具有内环区域，所述内环区域环绕发光芯片外周布置；所述发光芯片的外周具有外周发光面； 3）、在所述中部区域设置荧光胶层，所述荧光胶层填充了内环区域，且覆盖了发光芯片； 4）、在所述基板上设置透光胶层，所述透光胶层的下部嵌入发光区中，覆盖了荧光胶层及内围坝，与所述基板形成一体结构；所述透光胶层的上部延伸至基板的上方，形成上方段； 所述制备步骤1）中，所述基板上设有外围坝，所述外围坝沿着发光区的周向环绕布置，所述外围坝的内侧具有朝内侧壁，所述朝内侧壁形成有朝上布置的环形台阶，多个所述环形台阶沿着朝内侧壁的高度方向间隔布置，所述环形台阶沿着外围坝的周向环绕布置； 所述外围坝中设有多个加固孔，多个所述加固孔沿着外围坝的周向环绕布置；所述加固孔的内段贯穿朝内侧壁，形成内侧开口，所述加固孔的外端形成在外围坝中，且沿着所述加固孔内端至外端的方向，所述加固孔朝下清洗布置； 所述外围坝中具有多个纵向布置的溢流孔，多个所述溢流孔沿着外围坝的周向环绕布置；所述溢流孔的底部与加固孔的外端连通，所述溢流孔的顶部贯穿外围坝的顶部，形成顶部开口；所述外围坝的顶部设有顶部槽，所述顶部槽沿着外围坝的周向环绕布置，所述顶部开口形成在顶部槽的底部； 所述制备步骤4）中，当在所述发光区中布置透光胶层的过程中，所述透光胶层覆盖在环形台阶上，且通过内侧开口进入加固孔，填充了加固孔以及溢流孔，所述透光胶层通过顶部开口，溢流至所述顶部槽中，形成填充在顶部槽中的顶部环段；所述外围坝以及顶部环段分别抵接在上方段的外周； 所述制备步骤4）中，所述顶部槽中形成有多个所述顶部环段，且多个所述顶部环段沿着外围坝的周向间隔环绕布置，多个所述顶部环段分别抵接在上方段的外周，与所述上方段形成一体。

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