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龙图腾网获悉杭州星原驰半导体有限公司申请的专利一种旋转批量外延设备及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119392365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411566284.0，技术领域涉及：C30B25/12；该发明授权一种旋转批量外延设备及其制备方法是由刘子婵;邵大立;齐彪;史皓然;金荣宽;林男奎;金满真;金宗焕;段琦琪;李浩源;陆淋康设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种旋转批量外延设备及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种旋转批量外延设备，包括晶圆装载系统、设备前端模块、晶圆左真空室、晶圆右真空室、晶圆转移室、等离子体刻蚀腔、加热挥发腔、右反应模组、左反应模组，所述晶圆装载系统上用来放置晶圆盒，每个晶圆盒中装载有25片晶圆，所述设备前端模块中有机械手将晶圆装载系统上晶圆盒里的晶圆取出，并进行校准定位后运载到晶圆左真空室、晶圆右真空室中，所述晶圆转移室中有机械手可以抓取晶圆真空室中的晶圆片，机械手装载单片晶圆，运送到后续反应腔室中，先进行选择性外延，再进行全外延，a.避免了晶舟和晶圆之间发生粘连破裂，b.降低了外延温度,减少生长时间，使得Si和SiGe层界限明确，提高芯片的电学性能。

本发明授权一种旋转批量外延设备及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种旋转批量外延设备的制备方法，其特征在于，包括晶圆装载系统、设备前端模块、晶圆左真空室、晶圆右真空室、晶圆转移室、等离子体刻蚀腔、加热挥发腔、右反应模组、左反应模组，所述晶圆装载系统上设置有用来放置晶圆的晶圆盒，所述制备方法包括如下步骤： 步骤一、将晶圆盒运输到晶圆盒装载台上，设备前端模块中的大气机械手将晶圆盒中的晶圆搬运到设备前端模块中进行校准定位后，再搬运到晶圆真空室中，晶圆真空室此时由大气环境转为真空环境，完全转为真空环境后，晶圆转移室中的机械手抓取晶圆真空室中的单片晶圆，并送入等离子体刻蚀腔中，进行第一次表面预处理，将晶圆表面氧化物转化为易挥发的固态物质，结束反应后由晶圆转移室中的机械手将晶圆从等离子体刻蚀腔取出，并放入加热挥发腔中，将晶圆表面的易挥发物质加热升华，反应结束即完成晶圆表面预处理； 步骤二、晶圆转移室中的机械手将完成预处理的晶圆放入反应模组中，进行选择性外延工艺，机械手将预处理完成的晶圆依次装载到晶舟上，晶舟在装载晶圆的过程中，由原始位置下降到最低位置，此过程中晶舟自动调整高度配合每一片晶圆装载进行装载，装载完成后，晶舟传输机构由初始位置旋转至工作位置，此时打开反应腔门，晶舟传输机构装载晶舟不断上升，并实现反应腔的密封，调整温度和工艺气体，进行选择性外延工艺，选择性外延工艺过程如下：将预处理结束的晶圆传送至反应模组中，温度控制在600-800℃，首先在晶圆表面进行Si层的外延生长，然后进行SiGe层的外延生长，依次循环进行Si层和SiGe层的交替生长后结束选择性外延工艺； 步骤三、在完成选择性外延工艺后，右反应模组中晶舟退回到真空装载室中，晶圆转移室中的机械手将右反应模组中的所有晶圆转移到左反应模组中，进行全外延工艺，工艺结束后晶圆运载回设备前端模块的晶圆盒中，空放的晶舟继续在晶舟传输机构的运输下回到反应腔中，通入清洁气体，完成反应腔和晶舟的清洗，至此完成一次外延工艺，全外延工艺过程如下：反应模组中反应腔自清洁结束后，调整全外延工艺温度控制在300~600℃之间，完成选择性外延工艺的晶圆将被传送至反应模组中进行全外延工艺，首先在晶圆表面进行Si层的外延生长，然后进行SiGe层的外延生长，依次循环进行Si层和SiGe层的交替生长后结束全外延工艺，最终在晶圆上生成外延层，外延工艺结束后外延层厚度达到1~8μm，晶圆退出反应腔，晶舟返回，腔门关闭，反应腔内开始进行自清洁，清洁完成后，投入下一次工艺的使用。

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