杭州电子科技大学杨合一获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种具有多模式发光的自激活长余辉材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119463859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411565456.2，技术领域涉及：C09K11/62；该发明授权一种具有多模式发光的自激活长余辉材料及其制备方法和应用是由杨合一;尹佳宝;郭琛;钟家松设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有多模式发光的自激活长余辉材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有多模式发光的自激活长余辉材料、制备方法与应用，实现荧光粉多模式发光性能的有效调控，可应用于信息的加密和防伪等领域。本发明基于富含缺陷的基质CaGa4O7，通过简单的Pb2+掺杂取代Ca2+调控基质中的缺陷态浓度和深度，实现Ca1‑xGa4O7:xPb2+荧光粉余辉强度和衰减时间、光致变色程度以及激发时间依赖荧光等多模式光学特性的有效调控，通过多模式光学特性的结合克服传统加密和防伪技术模式单一的问题，使其在信息加密和防伪等领域具有大的应用价值。
本发明授权一种具有多模式发光的自激活长余辉材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有多模式发光的自激活长余辉发光材料，其特征在于:化学式为Ca1-xGa4O7:xPb2+其中0x≤0.1； 所述Ca1-xGa4O7:xPb2+基于CaGa4O7的单斜C2c空间群，由Ga3+位点和Ca2+位点分别与4个和5个O2-原子结合形成GaO4三角锥体和CaO5三角双锥体，所述GaO4三角锥体和CaO5三角双锥体通过共享角的方式连接，基于CaGa4O7晶体结构存在所述GaO4三角锥体和CaO5三角双锥体两种不同的配位环境以及氧空位缺陷，在Ca2+位上引入不同浓度的Pb2+，形成不同的发光格位以及缺陷类型。
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