北京青禾晶元半导体科技有限责任公司母凤文获国家专利权
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龙图腾网获悉北京青禾晶元半导体科技有限责任公司申请的专利一种复合压电衬底结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364506U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422685818.3，技术领域涉及：H10N30/85；该实用新型一种复合压电衬底结构是由母凤文;谭向虎;刘福超设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合压电衬底结构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体材料领域，尤其涉及一种复合压电衬底结构，包括：支撑衬底，层叠于所述支撑衬底上的二氧化硅层，层叠于所述二氧化硅层上的压电层；所述压电层的材质为钽酸锂或铌酸锂；所述钽酸锂的晶向为42°Y切。本申请提出多晶尖晶石基复合压电衬底，多晶尖晶石具有较大的杨氏模量以及较小的热扩散系数，由此可获得机械性能优异且热稳定性良好的钽酸锂薄膜衬底。同时，多晶尖晶石的制备较为简单，能够进一步降低成本。该复合衬底中设置频率温度系数补偿层、波导层及非晶层，可广泛应用于表面声波器件、光波导以及非线性光学器件等领域，可有效提高器件的Q值，降低频率温度系数。
本实用新型一种复合压电衬底结构在权利要求书中公布了：1.一种复合压电衬底结构，其特征在于，包括：支撑衬底，层叠于所述支撑衬底上的二氧化硅层，层叠于所述二氧化硅层上的压电层； 所述压电层的材质为钽酸锂或铌酸锂； 所述钽酸锂的晶向为42°Y切，所述铌酸锂的晶向为128°Y切。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京青禾晶元半导体科技有限责任公司，其通讯地址为：100083 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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