华海清科股份有限公司路新春获国家专利权
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龙图腾网获悉华海清科股份有限公司申请的专利晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119188589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411538293.9,技术领域涉及:B24B37/04;该发明授权晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质是由路新春;赵德文;邓雯心;靳富设计研发完成,并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质在说明书摘要公布了:本申请实施例提供了一种晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质。晶圆抛光方法包括:获取对晶圆进行抛光的抛光时间的第一取值范围、抛光头的抛光压力的第二取值范围和晶圆的目标去除量;根据第一取值范围和第二取值范围对预设的约束条件进行更新,获得目标约束条件;其中,约束条件用于约束抛光时间和抛光压力的范围;将抛光时间和抛光压力作为优化模型的待优化变量,至少将预测去除量与目标去除量的差异最小作为优化模型的优化目标,根据预设的去除率预测模型构建优化模型;基于目标约束条件和优化模型,确定抛光时间和抛光压力;根据确定出的抛光时间和抛光压力,控制抛光头对晶圆进行抛光。
本发明授权晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质在权利要求书中公布了:1.一种晶圆抛光方法,其特征在于,包括: 获取对晶圆进行抛光的抛光时间的第一取值范围、抛光头的抛光压力的第二取值范围和晶圆的目标去除量; 根据所述第一取值范围和所述第二取值范围对预设的约束条件进行更新,获得目标约束条件;其中,所述约束条件用于约束抛光时间和抛光压力的范围; 将抛光时间和抛光压力作为优化模型的待优化变量,至少将预测去除量与目标去除量的差异最小作为优化模型的优化目标,根据预设的去除率预测模型构建优化模型;其中,所述去除率预测模型为输入变量包括抛光压力、输出变量为所述抛光头的去除率的机器学习模型,所述预测去除量等于所述抛光头的去除率和抛光时间的乘积; 基于所述目标约束条件和所述优化模型,确定同时满足所述目标约束条件和所述优化模型的抛光时间和抛光压力; 根据确定出的抛光时间和抛光压力,控制所述抛光头对晶圆进行抛光。
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