杭州士兰微电子股份有限公司姚国亮获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利BCD器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364474U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422654234.X，技术领域涉及：H10D84/80；该实用新型BCD器件是由姚国亮;李杰;张邵华;吴建兴设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本BCD器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种BCD器件，包括衬底、外延层、超结VDMOS单元及若干平面晶体管单元，外延层位于衬底的第一表面，外延层内具有第一区域和至少一个第二区域，第二区域内具有第一中压阱；超结VDMOS单元的部分组成结构位于第一区域内，超结VDMOS单元还包括背面金属层，背面金属层位于衬底的第二表面，并与衬底电性连接；若干平面晶体管单元的部分组成结构分别位于第二区域内的相应的第一中压阱内。工作时，超结VDMOS单元的漏电极会接高电位，由于衬底及外延层具有第一掺杂类型，第一中压阱具有第二掺杂类型，因此将若干平面晶体管单元制作在第一中压阱内，外延层、衬底和第一中压阱反偏形成隔离岛，避免衬底接高电位时对若干平面晶体管单元造成不良影响。
本实用新型BCD器件在权利要求书中公布了：1.一种BCD器件，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的第一表面，所述外延层内具有第一区域和至少一个第二区域，所述第二区域内具有至少一个第一中压阱； 超结VDMOS单元，所述超结VDMOS单元的部分组成结构位于所述第一区域内，所述超结VDMOS单元还包括背面金属层，所述背面金属层位于所述衬底的第二表面，并与所述衬底电性连接； 若干平面晶体管单元，所述平面晶体管单元的部分组成结构分别位于所述第二区域内的相应的所述第一中压阱内；以及， 所述衬底及所述外延层具有第一掺杂类型，所述第一中压阱具有第二掺杂类型。
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