深圳晶源信息技术有限公司陈锡恒获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳晶源信息技术有限公司申请的专利一种三维掩膜图形的预测方法、装置、设备、介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119356017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411542687.1，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种三维掩膜图形的预测方法、装置、设备、介质及产品是由陈锡恒设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维掩膜图形的预测方法、装置、设备、介质及产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种三维掩膜图形的预测方法、装置、设备、介质及产品，应用于光刻技术领域。本方法中，在计算三维掩膜图形时，先确定出二维掩膜图形，然后基于标准方向的投影分量组成各目标像素点对应的目标法线，进而确定目标光源通过掩膜后的总衍射场以及二维衍射场。本申请实施例所提方案，通过将各标准方向作为投影分量进行组合，可以连续地表征从0°到360°的任意方向的目标法线，从而近似得到实际曲线的效果。可见，本申请采用了曲线掩膜，能够更好贴近物理现实以及具有更高的优化自由度，从而使得其相对于曼哈顿掩模具有更大的工艺窗口与更小的图形失真，曲线掩模还能够显著降低掩模制造阶段的工艺变化带宽。
本发明授权一种三维掩膜图形的预测方法、装置、设备、介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种三维掩膜图形的预测方法，其特征在于，包括： 获取轮廓点集合；所述轮廓点集合中的各轮廓点用于形成掩膜上的原始图形的轮廓； 基于所述轮廓点集合，确定目标光源通过所述掩膜后的二维掩膜图形； 获取所述原始图形周围预设区域内的多个目标像素点； 确定所述目标像素点与所述原始图形之间的目标法线； 基于所述目标法线在各标准方向上的投影分量，确定所述目标光源通过所述掩膜后总衍射场以及二维衍射场；各所述标准方向能组成任意方向的所述目标法线； 根据所述总衍射场以及所述二维衍射场的对比结果，确定三维衍射场； 基于所述三维衍射场修正所述二维掩膜图形中的轮廓，预测所述三维掩膜图形。
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