北京航空航天大学宋欣达获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种基于互谱分析的磁屏蔽桶噪底评估方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119415937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411537419.0,技术领域涉及:G06F18/2131;该发明授权一种基于互谱分析的磁屏蔽桶噪底评估方法是由宋欣达;吴震东;王亚翔;索宇辰;龙腾跃;吴迪;雷旭升设计研发完成,并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于互谱分析的磁屏蔽桶噪底评估方法在说明书摘要公布了:一种基于互谱分析的磁屏蔽桶噪底评估方法,包括数据采集,利用两个独立的原子磁强计在磁屏蔽桶中心位置同时采集噪声数据,对两个通道的离散化噪声数据使用汉宁窗进行加窗处理,减少近旁瓣泄露,并对加窗的双通道数据进行傅里叶变换,得到频谱数据,最后进行频域互相关共轭运算,计算得到两个原子磁强计共模成分的频域特性,得到两个磁强计共模成分噪声谱,即磁屏蔽桶的噪底。本发明通过互谱分析运算提取通道之间的共模成分,从而评估磁屏蔽桶噪底,或者磁屏蔽环境噪底,无需研发使用更高精度的计量型磁强计,仅依靠两个灵敏度较低的磁强计即可评估磁屏蔽桶噪底,成本更低,无需增加极弱磁测量装置的设备复杂度,且可信度高。
本发明授权一种基于互谱分析的磁屏蔽桶噪底评估方法在权利要求书中公布了:1.一种基于互谱分析的磁屏蔽桶噪底评估方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1,利用第一原子磁强计通过磁屏蔽桶中心位置建立第一噪声数据采集通道并形成第一通道离散电压噪声数据,同时利用第二原子磁强计通过磁屏蔽桶中心位置建立第二噪声数据采集通道并形成第二通道离散电压噪声数据; 步骤2,对第一通道离散电压噪声数据和第二通道离散电压噪声数据分别进行汉宁窗加窗处理; 步骤3,对第一通道加窗数据和第二通道加窗数据分别进行离散傅里叶变换,得到第一通道频谱数据V1fn,和第二通道频谱数据V2fn; 步骤4,将V1fn和V2fn进行互谱运算,得到两个原子磁强计共模成分的功率谱密度Xfn,利用V1fn得到第一原子磁强计的功率谱密度P1fn,利用V2fn得到第二原子磁强计的功率谱密度P2fn,利用Xfn得到磁屏蔽桶噪底; 步骤4中包括:利用磁强计的磁场电压响应系数进行转化,计算得到磁屏蔽桶噪底; 步骤4中包括以下步骤: 步骤41,保留Xfn的实部,该实部为Xfn的幅值; 步骤42:对于P1fn中和P2fn中以及Xfn的实部中,均取每1Hz频率范围内的平均值作为各自整数频率点的功率谱密度值P1、P2和X,P1对应P1fn,P2对应P2fn,X对应Xfn; 步骤43:对X开根号得到电压噪声幅值,电压噪声幅值单位为VHz-12,利用磁强计的电压磁场转换系数K,K的单位为VT,将K除以所述电压噪声幅值即得到磁屏蔽桶噪底数值,该数值越大,噪底越高。
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