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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种半导体器件终端结构及其制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411525608.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件终端结构及其制作工艺是由吴阳阳;郭飞;王宽;袁俊;成志杰;陈伟设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件终端结构及其制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件终端结构及其制作工艺，所述半导体器件终端结构设置在N‑P‑N型掺杂的宽禁带半导体外延片中；本结构通过离子注入或外延+离子注入的方式在P型掺杂埋层中设置N型掺杂电场截止区和N型掺杂电荷补偿区，所述N型掺杂电场截止区最深处超过P型掺杂埋层并深入N型掺杂漂移区。本结构可以通过调整不少于一个N型掺杂电荷补偿区间隔、体积，掺杂的方式实现从主结区到终端区方向上、切割道区域到终端区方向上，P型掺杂埋层等效受主杂质原子量逐渐降低的效果，最终起到降低主结区的曲率效应，缓解主结附近电场集中问题，避免功率器件主结提前发生击穿的问题。

本发明授权一种半导体器件终端结构及其制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件终端结构，其特征在于，所述半导体器件终端结构设置在N-P-N型掺杂的宽禁带半导体外延片中，所述宽禁带半导体外延片包括依次连接且包含P型掺杂埋层的主结区、终端区和切割道； 本结构通过离子注入或外延加离子注入的方式在P型掺杂埋层中设置N型掺杂电场截止区和N型掺杂电荷补偿区，所述N型掺杂电场截止区最深处超过P型掺杂埋层并深入N型掺杂漂移区，通过改变N型掺杂电荷补偿区的间隔、和或体积、和或掺杂浓度的方式，使P型掺杂埋层在从主结区到终端区方向上、切割道区域到终端区方向上，越靠近N型掺杂电场截止区，P型掺杂埋层等效受主杂质原子量越低； 所述宽禁带半导体外延片包括从下到上依次连接的N型掺杂衬底、N型掺杂漂移区、P型掺杂埋层、N型掺杂电流扩散层、P型掺杂主结区，所述N型掺杂衬底远离P型掺杂埋层的一侧连接阴极，所述P型掺杂主结区一端远离P型掺杂埋层的一侧连接阳极，靠近阳极的一端形成主结区，远离阳极的一端形成切割道，中间为终端区；所述N型掺杂电场截止区连接于终端区中部，所述N型掺杂电荷补偿区连接于终端区且分布于N型掺杂电场截止区左右两侧，各侧的所述N型掺杂电荷补偿区的数量不少于一个； N型掺杂电荷补偿区面积相同，但是越靠近N型掺杂电场截止区，相邻的N型掺杂电荷补偿区的间隔越小；或 N型掺杂电荷补偿区间距相同、宽度相同，但是越靠近N型掺杂电场截止区，N型掺杂电荷补偿区的深度越深；或 N型掺杂电荷补偿区间距相同、深度相同，但是越靠近N型掺杂电场截止区，N型掺杂电荷补偿区越宽；或 N型掺杂电荷补偿区间距相同、深度相同、间隔相同，但是越靠近N型掺杂电场截止区，N型掺杂电荷补偿区的掺杂浓度越高。

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