杰平方半导体(上海)有限公司周健获国家专利权
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龙图腾网获悉杰平方半导体(上海)有限公司申请的专利一种新型高维持电压SCR结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364479U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422633823.X，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种新型高维持电压SCR结构是由周健;王帅旗;张代中设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型高维持电压SCR结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种新型高维持电压SCR结构，属于半导体集成电路技术领域，该新型高维持电压SCR结构，包括第一导电类型衬底；第一导电类型阱区，设置在第一导电类型衬底中，第一导电类型阱区的一侧边缘设置有第二导电类型阱区；沟槽，横跨第一导电类型阱区和第二导电类型阱区的交界处；第一导电类型侧壁齐纳注入区，设置在沟槽与所述第一导电类型阱区相接的一侧，并延伸至沟槽的底部；第二导电类型侧壁区，设置在所述沟槽与所述第二导电类型阱区相接的一侧，并延伸至沟槽的底部与第一导电类型侧壁齐纳注入区相接。通过引入新的电流触发路径，使得载流子沿着沟槽壁运输，将载流子输运路径由器件转变为器件内部，降低了SCR器件的触发电压。
本实用新型一种新型高维持电压SCR结构在权利要求书中公布了：1.一种新型高维持电压SCR结构，其特征在于，包括： 第一导电类型衬底； 第一导电类型阱区，设置在所述第一导电类型衬底中，所述第一导电类型阱区的一侧边缘设置有第二导电类型阱区； 沟槽，横跨所述第一导电类型阱区和第二导电类型阱区的交界处； 第一导电类型侧壁齐纳注入区，设置在所述沟槽与所述第一导电类型阱区相接的一侧，并延伸至所述沟槽的底部； 第二导电类型侧壁区，设置在所述沟槽与所述第二导电类型阱区相接的一侧，并延伸至所述沟槽的底部与所述第一导电类型侧壁齐纳注入区相接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杰平方半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢4层401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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