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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种高浓度铒掺杂的高亮度光通信波段硅基发光薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119463690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411508064.2，技术领域涉及：C09D183/04；该发明授权一种高浓度铒掺杂的高亮度光通信波段硅基发光薄膜及其制备方法是由刘恺欣;马凤阳;俞亮;闫仲尧;陆明设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高浓度铒掺杂的高亮度光通信波段硅基发光薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光通信技术领域，具体为一种高浓度铒元素掺杂的高亮度通信波段硅基发光薄膜及其制备方法。本发明以HSQ为溶剂，以硝酸铒五水合物为铒元素的来源，并通过镱离子和独立硅量子点的共掺杂，经搅拌、旋涂、高温退火后，得到高亮度的掺铒硅基发光薄膜。HSQ光刻胶作为硅纳米晶薄膜制备的前驱体材料，掺杂铒元素后经高温退火，所形成的薄膜中含有大量硅纳米晶。硅纳米晶作为能量传递过程的敏化剂，吸收入射光子能量之后再传递并激活铒离子，实现发射中心波长位于1.54μm的光致发光。本发明避免了离子注入法产生的大量缺陷，也无需维持高真空度，所制成的掺铒薄膜具有作为铒发光敏化剂的硅纳米晶浓度高的特点，并且制备步骤简单、操作安全。

本发明授权一种高浓度铒掺杂的高亮度光通信波段硅基发光薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基发光薄膜的制备方法，其特征在于，以HSQ光刻胶为溶剂，以硝酸铒五水合物为铒元素的来源，并通过镱离子和独立硅量子点的共掺杂，经搅拌、旋涂、高温退火后，得到高亮度的掺铒硅基发光薄膜，具体步骤如下： 1选取单面抛光的硅片作为衬底，清洗去除衬底表面杂质； 2将硝酸铒五水合物晶体、硝酸镱五水合物晶体和硅量子点胶体加入HSQ中，在室温下搅拌至完全溶解形成混合溶胶；其中，所述硝酸铒五水合物晶体质量为0.4g～0.5g，硝酸镱五水合物晶体质量为0.1g～0.2g，硅量子点胶体体积为0.5～3mL，HSQ光刻胶体积为2～4mL，搅拌时间为45min～60min； 3在衬底上旋涂掺铒HSQ混合溶胶，制成掺铒HSQ薄膜； 4将掺铒HSQ薄膜放于恒温烘片机上加热固化； 5将固化后的掺铒HSQ薄膜置于管式电阻炉中央恒温区中，通入N2、H2混合气体，将管式电阻炉由室温升温至1050℃～1100℃，升温时间为100min～120min，在此温度下保持30～120min。

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