杰平方半导体(上海)有限公司周健获国家专利权
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龙图腾网获悉杰平方半导体(上海)有限公司申请的专利一种高维持电压的SCR器件版图结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364478U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422606637.7，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型一种高维持电压的SCR器件版图结构是由周健;王帅旗;张代中设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高维持电压的SCR器件版图结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种高维持电压SCR器件版图结构，属于电子电路技术领域，该高维持电压的SCR器件版图结构，包括衬底；N型阱区；第一N型重掺杂区，纵向设置在N型阱区中，第一N型重掺杂区的一侧连接有第一P型重掺杂区；第三N型重掺杂区，横向设置在N型阱区中，第三N型重掺杂区的顶部或底部连接有第三P型重掺杂区；P型阱区，与N型阱区邻接；第二N型重掺杂区，纵向设置在P型阱区中，第二N型重掺杂区的一侧连接有第二P型重掺杂区；第四N型重掺杂区，横向设置在P型阱区中，第四N型重掺杂区的顶部或底部连接有第四P型重掺杂区。通过在衬底上形成两个SCR结构，两个SCR结构在正常工作偏压时，产生的电场方向具有一定的角度，优化SCR器件在其开启后的电流分布，达到提高SCR器件维持电压和触发电流的目的。
本实用新型一种高维持电压的SCR器件版图结构在权利要求书中公布了：1.一种高维持电压的SCR器件版图结构，其特征在于，包括： 衬底； N型阱区，设置在所述衬底中； 第一N型重掺杂区，纵向设置在所述N型阱区中，所述第一N型重掺杂区的一侧连接有第一P型重掺杂区； 第三N型重掺杂区，横向设置在所述N型阱区中，所述第三N型重掺杂区的顶部或底部连接有第三P型重掺杂区； P型阱区，与所述N型阱区邻接； 第二N型重掺杂区，纵向设置在所述P型阱区中，所述第二N型重掺杂区的一侧连接有第二P型重掺杂区； 第四N型重掺杂区，横向设置在所述P型阱区中，所述第四N型重掺杂区的顶部或底部连接有第四P型重掺杂区。
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