安建科技有限公司伍震威获国家专利权
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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364472U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422579574.0，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种功率半导体器件是由伍震威;单建安设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件，本实用新型涉及于功率半导体器件，为同时兼顾晶体管的低电阻及高阈值电压两项参数，位于P型盖层下方的第二低掺杂势垒层的铝含量较小，保证了晶体管的阈值电压可达到较高的数值，减低晶体管被误开启的机会。位于P型盖层下方左右两侧的第一高掺杂势垒层的铝含量较大，提高了位于该区域的二维电子气的电子密度，降低了晶体管的电阻，本实用新型可同时降低电阻及提高阈值电压,大大提升了晶体管的性能表现。
本实用新型一种功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，所述的器件包括有位于底部的衬底层（200），位于衬底层（200）上方的缓冲层（201），位于缓冲层（201）上方的沟道层（202），位于沟道层（202）上方的势垒层（203），位于势垒层（203）上方的P型盖层（204），位于P型盖层（204）上方的栅极金属层（205），位于栅极金属层（205）一侧的源极金属层（206）和另一侧的漏极金属层（207），其特征在于，所述的势垒层（203）包括有用于提高阈值电压的第一高掺杂势垒层（203a）和降低器件导通电阻第二低掺杂势垒层（203b），所述的第二低掺杂势垒层（203b）位于P型盖层（204）的下方，所述的第一高掺杂势垒层（203a）位于第二低掺杂势垒层（203b）的两侧。
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