清华大学唐建石获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利阻变存储器的处理方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411431370.0，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权阻变存储器的处理方法、装置、电子设备及存储介质是由唐建石;江之行;席悦;高滨;钱鹤;吴华强设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻变存储器的处理方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及一种阻变存储器的处理方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：判断是否存在阻变存储器处理需求；若存在阻变存储器处理需求，则对待理处阻变存储器进行正向Forming操作得到正向处理后的阻变存储器，若正向处理后的阻变存储器的电导大于或等于第一预设电导阈值，则重复施加第一RESET脉冲至正向处理后的阻变存储器，直至正向处理后的阻变存储器的电导小于第一预设电导阈值，得到反向处理后的阻变存储器；重复施加第二RESET脉冲至反向处理后的阻变存储器，直至反向处理后的阻变存储器的电导大于第二预设电导阈值，得到目标阻变存储器。由此，解决编程后的目标存储器容易产生驰豫现象的问题，增强编程后阻变存储器电导状态的稳定性。
本发明授权阻变存储器的处理方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储器的处理方法，其特征在于，包括以下步骤： 判断是否存在阻变存储器处理需求； 若存在所述阻变存储器处理需求，则对待理处阻变存储器进行正向Forming操作得到正向处理后的阻变存储器，若所述正向处理后的阻变存储器的电导大于或等于第一预设电导阈值，则重复施加第一RESET脉冲至所述正向处理后的阻变存储器，直至所述正向处理后的阻变存储器的电导小于所述第一预设电导阈值，得到反向处理后的阻变存储器；以及 重复施加第二RESET脉冲至所述反向处理后的阻变存储器，直至反向处理后的阻变存储器的电导大于第二预设电导阈值，得到目标阻变存储器，其中， 所施加至所述反向处理后的阻变存储器的第二RESET脉冲的最小电压大于施加至所述正向处理后的阻变存储器的第一RESET脉冲的最大电压。
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