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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种电缆状结构SiO₂@SiC复合吸波材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119240703B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411422308.5，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权一种电缆状结构SiO₂@SiC复合吸波材料的制备方法是由陈正杰;谢锐;马文会;李绍元;张亚坤;于洁;伍继君设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电缆状结构SiO₂@SiC复合吸波材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电缆状结构SiO2@SiC复合吸波材料的制备方法。本发明采用自然界中的生物质，通过干燥、炭化得到蓬松多孔的生物炭。硅源是特定比例的高纯度硅粉与二氧化硅组成的混合硅源。将少量的CaCO3粉末置于坩埚底部，然后依次放入与硅源、刚玉环与碳源，进行反应，得到含碳化硅的纳米线产物；随后通过除碳和可控氧化，获得电缆状结构的SiO2@SiC。本发明利用了简单的化学气相沉积法制备电缆状结构的SiO2@SiC，采用低成本的废弃生物质得到了高效吸波性能的SiO2@SiC纳米线，最佳反射损耗小于‑50dB，最大有效吸收带宽大于4.52GHz。本发明工艺简单、可控，便于工业化应用。

本发明授权一种电缆状结构SiO₂@SiC复合吸波材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电缆状结构SiO2@SiC复合吸波材料的制备方法，其特征在于，包括下述步骤： （1）碳源预处理：将干净的生物质磨成粉末状，得到预处理材料； （2）碳化：将步骤（1）中得到的预处理材料置于模具成形，然后放入通有保护气体的炉内进行碳化，得到蓬松多孔的生物炭； （3）硅源预处理：将硅粉与二氧化硅通过球磨工艺进行充分的混合，以得到具有硅与二氧化硅的混合硅源；硅粉和二氧化硅的质量比为1～2：2～1； （4）高温碳热还原：在坩埚底部铺设一层碳酸钙粉末，然后将步骤（3）中获得的混合硅源均匀摊平到CaCO3粉末表面，随后放入刚玉环作为支撑，将步骤（2）中获得的蓬松多孔生物炭置于刚玉环的上端；先通入保护气体，然后升温至反应温度，反应温度为1200-1600℃、反应时间大于2小时； （5）除碳和可控氧化：将步骤（4）中获得的产物直接置于马弗炉中加热，去除残余的碳并进行可控氧化，得到SiO2@SiC纳米线；除碳和可控氧化的温度为890~910℃，时间大于等于100min。

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