青岛泰睿思微电子有限公司廖顺兴获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛泰睿思微电子有限公司申请的专利高密度及可调式聚焦晶圆级光感封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888546B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411364414.2，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权高密度及可调式聚焦晶圆级光感封装结构是由廖顺兴设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本高密度及可调式聚焦晶圆级光感封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高密度及可调式聚焦晶圆级光感封装结构，包括圆晶封装层、硅中介层、第一芯片、第二芯片和封装胶层；硅中介层的底面贴合在圆晶封装层上，第一芯片和第二芯片通过封装胶层封装在硅中介层的顶面上，且第一芯片与第二芯片之间通过不透光的封装胶层隔离；封装胶层上间隔形成有第一槽体和第二槽体，第一槽体的底部匹配位于第一芯片上，第一槽体的顶部向上贯穿封装胶层，第二槽体的底部匹配位于第二芯片上，第二槽体的顶部向上贯穿封装胶层；第一芯片和第二芯片分别通过硅中介层与圆晶封装层电性连接。本发明涉及传感器封装技术领域，能解决现有技术中的技术问题。
本发明授权高密度及可调式聚焦晶圆级光感封装结构在权利要求书中公布了：1.一种高密度及可调式聚焦晶圆级光感封装结构，其特征是：包括圆晶封装层1、硅中介层2、第一芯片3、第二芯片4和封装胶层5；硅中介层2的底面贴合在圆晶封装层1上，第一芯片3和第二芯片4通过封装胶层5封装在硅中介层2的顶面上，且第一芯片3与第二芯片4之间通过不透光的封装胶层5隔离；封装胶层5上间隔形成有第一槽体501和第二槽体502，第一槽体501的底部匹配位于第一芯片3上，第一槽体501的顶部向上贯穿封装胶层5，第二槽体502的底部匹配位于第二芯片4上，第二槽体502的顶部向上贯穿封装胶层5；第一芯片3和第二芯片4分别通过硅中介层2与圆晶封装层1电性连接； 所述的第一芯片3和第二芯片4的边缘处和硅中介层2的顶面上设置溅镀金属层6，第一芯片3和第二芯片4上均设有芯片金属垫7，硅中介层2内形成有与圆晶封装层1电性连接的第一硅通孔201，使溅镀金属层6的一端与芯片金属垫7电性连接，溅镀金属层6的另一端通过第一硅通孔201与圆晶封装层1电性连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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