上海邦芯半导体科技有限公司沈康获国家专利权
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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利等离子体过滤装置及过滤方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411635672.X，技术领域涉及：G21K1/10；该发明授权等离子体过滤装置及过滤方法是由沈康;王兆祥;涂乐义;梁洁;王士京;桂智谦设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体过滤装置及过滤方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种等离子体过滤装置及过滤方法，等离子体过滤装置，包括：第一通路和位于等离子体过滤装置本体内的第二通路，第一通路和第二通路之间设置有挡板，挡板上设置有能调节开度的开口，当开口关闭时，等离子体在形成之后先于第一通路内向上扩散越过挡板的顶部后再于第二通路内向下流，当等离子体在第一通路内向上扩散时，部分等离子体与第一通路的侧壁碰灭被过滤去除，降低了等离子体密度，能够减轻对基底的损伤；当开口打开时，至少部分等离子体于第一通路内形成之后通过开口能够直接进入第二通路，能够增加等离子体密度，提高反应速率。
本发明授权等离子体过滤装置及过滤方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体过滤装置，其特征在于，包括： 第一通路和位于等离子体过滤装置本体内的第二通路，所述第一通路和所述第二通路之间设置有挡板，所述挡板上设置有能调节开度的开口，当所述开口关闭时，等离子体在形成之后先于所述第一通路内向上扩散越过所述挡板的顶部后再于所述第二通路内向下流，离子损伤程度降低，反应速率降低；当所述开口打开时，至少部分等离子体于所述第一通路内形成之后通过所述开口直接进入所述第二通路，离子损伤程度增加，反应速率增加，所述挡板包括上挡板和下挡板，所述上挡板和所述下挡板之间的间隙构成所述开口，还包括提升装置，所述提升装置通过提拉部件与所述上挡板连接，通过所述提升装置提升放下所述提拉部件调节所述上挡板和所述下挡板之间的相对位置来调节所述开口的开度，当所述上挡板和所述下挡板闭合时，所述开口关闭；当所述上挡板和所述下挡板相离时，所述开口打开。
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