台湾积体电路制造股份有限公司李振铭获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364475U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422359024.8，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体组件是由李振铭;吴仕杰;黄柏瑜;吴以雯;杨复凯;王美匀设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体组件在说明书摘要公布了：本实用新型关于一种半导体组件，包括：半导体衬底与其上的晶体管。晶体管包括第一与SD特征、延伸于第一SD特征与第二SD特征之间的通道区以及接触通道区的栅极堆叠。半导体组件包括：第一SD接触结构，着陆于第一SD特征的顶面；第二SD接触结构，着陆于第二SD特征的顶面；以及介电插塞，贯穿半导体衬底且着陆于第一SD特征的底面。介电插塞的宽度等于或小于第一SD特征的宽度。非受限地，本实用新型的一优点来自于从衬底背侧形成的介电插塞在垂直方向上且自栅极结构偏移，以避免栅介电层受到损害。另一示例性优点来自于额外地对SD特征进行外延结构的刻蚀，此进一步地降低寄生电容。又一示例性优点来自于仅部分地移除衬底，而使衬底的保留散热效果。
本实用新型半导体组件在权利要求书中公布了：1.一种半导体组件，其特征在于，包括： 半导体衬底； 晶体管，形成于所述半导体衬底上方，其中所述晶体管包括第一源极漏极特征、第二源极漏极特征、延伸于所述第一源极漏极特征与所述第二源极漏极特征之间的通道区以及接触所述通道区的栅极堆叠； 第一源极漏极接触结构，着陆于所述第一源极漏极特征的顶面； 第二源极漏极接触结构，着陆于所述第二源极漏极特征的顶面；以及 介电插塞，贯穿所述半导体衬底且着陆于所述第一源极漏极特征的底面，其中所述介电插塞的宽度等于或小于所述第一源极漏极特征的宽度。
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