湖南越摩先进半导体有限公司王新军获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南越摩先进半导体有限公司申请的专利一种光学芯片感光区的封装保护结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364485U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422356194.0，技术领域涉及：H10F39/12；该实用新型一种光学芯片感光区的封装保护结构是由王新军设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学芯片感光区的封装保护结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种光学芯片感光区的封装保护结构，包括光学芯片和基板，在基板上设有孔径与光学芯片的感光区直径一致的透光孔，所述光学芯片装在基板底部，其感光区位于透光孔的孔口处，在透光孔内填充有透明体，在基板下面，有由封胶封装光学芯片及其与基板之间设置的焊接球一的封胶层。其优点在于：保证透明体规整无曲翘，表面光洁无痕，入光均匀，无散乱折射；结构简洁，实用性强。
本实用新型一种光学芯片感光区的封装保护结构在权利要求书中公布了：1.一种光学芯片感光区的封装保护结构，包括光学芯片（2）和基板（1），其特征在于：在基板（1）上设有孔径与光学芯片（2）的感光区（201）直径一致的透光孔（101），所述光学芯片（2）装在基板（1）底部，其感光区（201）位于透光孔（101）的孔口处，在透光孔（101）内填充有透明体（5），在基板（1）下面，有由封胶封装光学芯片（2）及其与基板（1）之间的焊接球一（3）的封胶层（6）。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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