深圳黑晶光电技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳黑晶光电技术有限公司申请的专利一种基于吡咯基团的双膦酸咔唑聚合物及合成方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118994242B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411328158.1，技术领域涉及：C07F9/6558；该发明授权一种基于吡咯基团的双膦酸咔唑聚合物及合成方法和应用是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于吡咯基团的双膦酸咔唑聚合物及合成方法和应用在说明书摘要公布了：本发明旨在提供一种基于吡咯基团的双膦酸咔唑聚合物及合成方法和应用，所述聚合物通过吡咯环连接双咔唑分子形成的共轭结构，可以保证该材料应用于空穴传输层时的载流子传输效率，以及很好地调控分子的偶极矩以及界面的性质，提高与基底的浸润性以及覆盖效果，应用该材料所制备得到的电池结构具有更高的光电转换效率以及稳定性。
本发明授权一种基于吡咯基团的双膦酸咔唑聚合物及合成方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于吡咯基团的双膦酸咔唑聚合物，其特征在于，结构通式如下： ； 式中：R为氢、甲基、甲氧基、卤素、苯基、卤代苄基、三苯胺基;n的值在2~6之间的任意一个整数。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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