中国科学院上海技术物理研究所胡伟达获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利具有宽谱段体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194401B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411313018.7，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权具有宽谱段体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法是由胡伟达;王振;王鹏;赵天歌;余羿叶;王芳;姚碧霂设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有宽谱段体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电材料和器件技术领域，尤其涉及一种具有体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法。本发明提供了一种范德华碲纳米材料的制备方法，包括以下步骤：以碲化硒为原料，在衬底的表面进行化学气相沉积，得到所述范德华碲纳米材料；所述化学气相沉积在通氮气的条件下进行。所述制备方法制备得到的范德华碲纳米材料可以使光电器件的体光伏响应具有很宽的谱段和高光电流密度。
本发明授权具有宽谱段体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种范德华碲纳米材料在光电器件中的应用，其特征在于，所述范德华碲纳米材料的制备方法，包括以下步骤： 以碲化硒为原料，在衬底的表面进行化学气相沉积，得到所述范德华碲纳米材料； 所述化学气相沉积在通氮气的条件下进行; 所述通氮气的过程中，氮气的流量为30~80sccm; 所述范德华碲纳米材料为棒状结构; 所述化学气相沉积在加热的条件下进行； 所述加热的温度为650℃，保温时间为30min。
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