北京智慧能源研究院;国网北京市电力公司牛喜平获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智慧能源研究院;国网北京市电力公司申请的专利一种碳化硅二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364471U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422231626.5，技术领域涉及：H10D8/00；该实用新型一种碳化硅二极管是由牛喜平;金锐;李哲洋;桑玲;谢伟;华斌设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅二极管在说明书摘要公布了：一种碳化硅二极管，其包括衬底，衬底上沿垂直方向依次设有缓冲层、n型漂移区、接触金属层、外侧金属层。其中，n型漂移区的漂移区域隔嵌有多个p型掺杂区。接触金属层分别与n型漂移区和p型掺杂区接触，且p型掺杂区与接触金属层的接触区宽度沿边缘至中心方向依次递增。本实用新型利用p型掺杂区的接触区宽度自所在区域的边缘至中心呈递增的非均匀分布规律，从而降低器件中央区域较高的结温，使器件的温度分布较为均匀，以提高SiC二极管的可靠性。
本实用新型一种碳化硅二极管在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅二极管，其特征在于，包括衬底；所述衬底上沿垂直方向依次设有缓冲层、n型漂移区、接触金属层、外侧金属层； 所述缓冲层的上表面设有所述n型漂移区；所述n型漂移区的漂移区域隔嵌有多个p型掺杂区； 所述n型漂移区的上表面设有所述接触金属层；所述接触金属层分别与所述n型漂移区和所述p型掺杂区接触；所述p型掺杂区与所述接触金属层的接触区宽度沿所述n型漂移区的外缘至中心方向依次递增； 所述接触金属层的上表面设有所述外侧金属层。
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