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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411259168.4，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板是由刘方梅设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板；该阵列基板包括衬底、有源层、栅绝缘层、导电层和第一电极，有源层包括沟道部、第一导体部及第二导体部，导电层包括栅极和漏极，栅极在有源层上的正投影位于沟道部内，漏极与部分第一导体部搭接，第一电极与第二导体部连接，在第一导体部至第二导体部的方向上，第一导体部具有第一长度，第二导体部具有第二长度，第一长度大于第二长度；本申请的漏极与第一导体部连接，第一电极直接与第二导体部连接，减少了源极和源极接触孔的设置，同时第二导体部的第二长度小于第一导体部的第一长度，减小了有源层的长度减小了阵列基板中晶体管的尺寸，改善了产品中像素密度较小的技术问题。

本发明授权阵列基板及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 有源层，设置于所述衬底的一侧，所述有源层包括沟道部和设置于所述沟道部两侧的第一导体部及第二导体部； 栅绝缘层，包括间隔设置的第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述第二绝缘部设置于所述有源层的一端，所述第一绝缘部和第二绝缘部之间设有第一过孔； 导电层，设置于所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧，所述导电层包括分离设置的栅极和漏极，所述栅极位于所述第一绝缘部上，所述栅极在所述有源层上的正投影位于所述沟道部内；所述漏极位于所述第二绝缘部上，且所述漏极与部分所述第一导体部搭接，所述漏极与所述第二绝缘部的侧壁接触，且沿所述侧壁延伸至所述第一导体部远离所述衬底一侧的表面；以及 第一电极，设置于所述导电层远离所述衬底的一侧，所述第一电极与所述第二导体部连接； 在所述第一导体部至所述第二导体部的方向上，所述第一导体部具有第一长度，所述第二导体部具有第二长度，所述第一长度大于所述第二长度； 其中，所述第一导体部包括相邻的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第一过孔对应，所述第一部分的电阻率小于所述第二部分的电阻率。

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