芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司陆同周获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利半导体器件、NLDMOS结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092546B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411201980.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件、NLDMOS结构及其制备方法是由陆同周;赵亮亮;李勇设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、NLDMOS结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件、NLDMOS结构及其制备方法，所述NLDMOS结构包括：低阻P型衬底层，其电阻率小于或等于0.058欧姆每厘米；设于所述低阻P型衬底层上的高阻P型衬底层，其电阻率大于或等于10欧姆每厘米；设于所述高阻P型衬底层及所述埋层上的外延层，其掺杂浓度小于或等于所述高阻P型衬底层的掺杂浓度；深沟槽隔离结构，由所述外延层表面延伸至所述高阻P型衬底层中；设于所述高阻P型衬底层中且被所述深沟槽隔离结构环绕的埋层；设于所述外延层中且被所述深沟槽隔离结构环绕的漂移区、体区、源端及漏端。本发明可通过减小漏电流以降低NLDMOS结构的功耗及提高耐压。
本发明授权半导体器件、NLDMOS结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NLDMOS结构，其特征在于，包括： 低阻P型衬底层，所述低阻P型衬底层的电阻率为0.018欧姆每厘米～0.058欧姆每厘米； 设于所述低阻P型衬底层上的高阻P型衬底层，其电阻率大于或等于10欧姆每厘米； 设于所述高阻P型衬底层上的外延层，其掺杂浓度小于或等于所述高阻P型衬底层的掺杂浓度； 深沟槽隔离结构，由所述外延层表面延伸至所述高阻P型衬底层中； 设于所述高阻P型衬底层中且被所述深沟槽隔离结构环绕的埋层； 设于所述外延层中且被所述深沟槽隔离结构环绕的漂移区、体区、源端及漏端。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号-17；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励