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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411206256.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制造方法、电子设备是由张仕然设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种存储器及其制造方法、电子设备。存储器包括：半导体衬底，包括有源区和限定有源区的沟槽隔离结构，有源区呈之字形排布；字线结构，在衬底中沿第一水平方向延伸；位线结构，在衬底上沿与第一水平方向垂直的第二水平方向延伸；绝缘图案，设置于相邻的位线结构之间；存储节点着陆焊盘，包括设置于彼此相邻的两个位线结构和彼此相邻的两个绝缘图案之间的下部分以及从下部分延伸并设置在两个绝缘图案之一上的上部分。有源区的水平延伸方向与第一、第二水平方向分别相交，相邻的两个位线结构之间的间距小于相邻的两个绝缘图案之间的间距，上部分在衬底上的正投影的平面几何中心偏向于两个绝缘图案之一在衬底上的正投影但位于其之外。

本发明授权存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 半导体衬底，包括有源区和限定所述有源区的沟槽隔离结构，所述有源区呈之字形排布； 字线结构，在所述半导体衬底中沿第一水平方向延伸； 位线结构，在所述半导体衬底上沿与所述第一水平方向垂直的第二水平方向延伸； 绝缘图案，设置于相邻的位线结构之间； 存储节点着陆焊盘，包括设置于彼此相邻的两个位线结构和彼此相邻的两个绝缘图案之间的第一部分以及从所述第一部分延伸并设置在彼此相邻的所述两个绝缘图案之一上的第二部分， 其中，所述有源区的水平延伸方向与所述第一水平方向、所述第二水平方向分别相交，彼此相邻的所述两个绝缘图案之间的间距大于彼此相邻的所述两个位线结构之间的间距，所述第二部分在所述半导体衬底上的正投影的平面几何中心偏向于彼此相邻的所述两个绝缘图案之一在所述半导体衬底上的正投影，所述平面几何中心位于彼此相邻的所述两个绝缘图案之一在所述半导体衬底上的正投影之外，所述第二部分在所述第二水平方向上的最大尺寸大于或等于彼此相邻的所述两个绝缘图案之间的间距。

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