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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种阵列基板、显示面板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119095424B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411187903.5，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权一种阵列基板、显示面板和显示装置是由朱亚威;周星宇设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阵列基板、显示面板和显示装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板具有相邻设置的第一区域和第二区域，且包括堆叠设置驱动电路层和钝化层；驱动电路层包括位于第一区域的第一薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括相互电连接的第一有源层和第一源漏电极，第一有源层的材料为氧化物；钝化层位于第一区域和第二区域，且包括第一子钝化层和第二子钝化层；第一子钝化层至少覆盖在第一源漏电极上，且从第一区域延伸至第二区域；第二子钝化层覆盖在位于第二区域的第一子钝化层上；第一子钝化层的材料中的氢原子的含量小于第二子钝化层中的氢原子的含量，且水在第二子钝化层中的穿透率小于在第一子钝化层中的穿透率。本申请可以有效的降低显示产品的信赖性风险。

本发明授权一种阵列基板、显示面板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有相邻设置的第一区域和第二区域；所述阵列基板包括： 衬底层，位于所述第一区域和所述第二区域； 驱动电路层，位于所述衬底层的一侧，且包括位于所述第一区域的第一薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括相互电连接的第一有源层和第一源漏电极，所述第一源漏电极位于所述第一有源层背离所述衬底层的一侧，所述第一有源层的材料为氧化物； 钝化层，位于所述第一区域和所述第二区域，且位于所述驱动电路层背离所述衬底层的一侧；所述钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层；所述第一子钝化层至少覆盖在所述第一源漏电极上，且从所述第一区域延伸至所述第二区域；所述第二子钝化层覆盖在位于所述第二区域的所述第一子钝化层上； 其中，所述第一子钝化层的材料中的氢原子的含量小于所述第二子钝化层中的氢原子的含量，且水在所述第二子钝化层中的穿透率小于在所述第一子钝化层中的穿透率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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