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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119068948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411171601.9，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法是由戴成虎;高梦雅;李鑫;胡薇;彭春雨;卢文娟;赵强;吴秀龙设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种基于6T‑SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法，该电路包括多个6T‑SRAM单元、控制单元和计算单元；多个6T‑SRAM单元并联设置且分别采用不同字线控制，多个6T‑SRAM单元的第一端连接同一第一局部位线，多个6T‑SRAM单元的第二端连通同一第二局部位线；计算单元包括第五至第八PMOS管、第七至第十NMOS管；第五PMOS管的源极和第八NMOS管的漏极信号输出节点，第七PMOS管的漏极和第八PMOS管的漏极用于接入不定电平信号，第九NMOS管的栅极和第十NMOS管的栅极为信号输入节点；第五PMOS管的栅极和第八NMOS管的栅极通过控制单元分别连接第二局部位线和第一局部位线，控制单元用于实现开关控制。将存储单元和计算单元配置在一块，实现了存内计算，大大提高了运算速度。

本发明授权基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路，其特征在于，电路包括多个6T-SRAM单元、控制单元和计算单元； 多个所述6T-SRAM单元并联设置且分别采用不同字线控制，多个所述6T-SRAM单元的第一端连接同一第一局部位线，多个所述6T-SRAM单元的第二端连通同一第二局部位线； 所述计算单元包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管，第五PMOS管的源极和漏极分别与第七NMOS管的漏极和源极连接，第六PMOS管的源极和漏极分别与第八NMOS管的漏极和源极连接，第七PMOS管的源极和漏极分别与第九NMOS管的漏极和源极连接，第八PMOS管的源极和漏极分别与第十NMOS管的漏极和源极连接，第七PMOS管的源极和第五PMOS管的漏极连接，第八PMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接，第七NMOS管的栅极和第八NMOS管的栅极连接，第六PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极； 第五PMOS管的源极和第八NMOS管的漏极信号输出节点，第七PMOS管的漏极和第八PMOS管的漏极用于接入不定电平信号，第九NMOS管的栅极和第十NMOS管的栅极为信号输入节点； 第五PMOS管的栅极和第八NMOS管的栅极通过所述控制单元分别连接所述第二局部位线和所述第一局部位线，所述控制单元用于实现开关控制； 所述控制单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管； 第五NMOS管的漏极和源极分别连接所述第二局部位线和第五PMOS管的栅极，第四PMOS管的源极和漏极分别连接所述第一局部位线和第八NMOS管的栅极，第三PMOS管的源极和漏极分别连接第二全局位线和第五PMOS管的栅极，第六NMOS管的源极和漏极分别连接第一全局位线和第八NMOS管的栅极； 第五NMOS管的栅极用于接入第一计算控制信号，第四PMOS管的栅极用于接入第二计算控制信号，第六NMOS管的栅极用于接入第一预控制信号，第三PMOS管的栅极用于接入第二预控制信号； 多位相乘相加运算电路的多位相乘相加运算步骤包括： 将第一信号和第二信号分别接入第九NMOS管的栅极和第十NMOS管的栅极，第一信号和第二信号分别表征第一2比特数和第二2比特数； 通过第五PMOS管的源极和第八NMOS管的漏极输出多位相乘相加运算的结果信号，多位相乘相加运算的结果信号是对第一2比特数和第二2比特数分别与第一1比特权重的乘积结果进行相加得到的。

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