中国科学院西安光学精密机械研究所段瑾瑶获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利基于玻璃衬底的交叉线阳极、成像探测器及交叉线阳极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119049944B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411167353.0，技术领域涉及：H01J1/38；该发明授权基于玻璃衬底的交叉线阳极、成像探测器及交叉线阳极的制备方法是由段瑾瑶;郑锦坤;杨阳;王博;白永林;左晓芸设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于玻璃衬底的交叉线阳极、成像探测器及交叉线阳极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于玻璃衬底的交叉线阳极、成像探测器及交叉线阳极的制备方法，用于解决现有的交叉线阳极信号传输较慢，且采用半导体工艺制备时阳极条带均匀性不好，进而导致图像畸变影响空间分辨率，或者采用光刻技术时光刻设备极其昂贵，对实验环境和操作步骤要求都较高的技术问题。本发明的交叉线阳极，上层阳极衬底和下层阳极衬底均采用硼化硅玻璃制备，同时在横向条带和纵向条带表面覆有金属层，以实现电子接收，有效提高了信号传输速率，既可以保障探测器在复杂的太空环境下长时间工作，又能够保护器件不受外界干扰，在实现高空间分辨率和时间分辨率的前提下，增大了动态范围，提高了探测效率，且增益更高更均匀。
本发明授权基于玻璃衬底的交叉线阳极、成像探测器及交叉线阳极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于玻璃衬底的交叉线阳极，包括上层阳极衬底1和下层阳极衬底2，其特征在于： 所述上层阳极衬底1和下层阳极衬底2均采用硼化硅玻璃制备； 所述上层阳极衬底1上表面等间距设置有2n个横向条带3，n≥3；相邻两个横向条带3之间开设有横向通孔5，或者，每个横向条带3的左侧或右侧开设有横向通孔5； 所述下层阳极衬底2上表面等间距设置有2n个纵向条带4，n≥3；相邻两个纵向条带4之间开设有纵向通孔6，或者，每个纵向条带4的左侧或右侧开设有纵向通孔6； 2n个所述横向条带3和2n个纵向条带4的上表面均覆有金属层； 所述上层阳极衬底1的下表面与下层阳极衬底2的上表面固连，且2n个横向条带3与2n个纵向条带4相互垂直设置； 2n个所述横向条带3上金属层的总面积等于2n个纵向条带4上未被上层阳极衬底1遮挡的金属层的总面积。
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