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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223364470U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422020246.7，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型集成电路是由陈瑞麟;张峰铭;王屏薇设计研发完成，并于2024-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路在说明书摘要公布了：本实用新型的各种实施例是关于一种集成电路，所述集成电路包括第一SRAM胞元及第二SRAM胞元，各自包括多个场效晶体管FET；FET上方的前金属线及FET下方的后金属线；以及中间带区域，位于第一SRAM胞元与第二SRAM胞元之间。中间带区域包括沿着方向纵向延伸的多个栅极堆叠、延伸穿过多个栅极堆叠的栅极堆叠的栅极隔离结构、嵌入在栅极隔离结构中的馈通通孔FTV、位于FTV与第一SRAM胞元之间的第一介电栅极以及位于FTV与第二SRAM胞元之间的第二介电栅极。FTV电耦接前金属线及后金属线。

本实用新型集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，包括： 第一静态随机存取存储器胞元及第二静态随机存取存储器胞元，其中所述第一静态随机存取存储器胞元包括场效晶体管； 所述场效晶体管上方的前互连结构及所述场效晶体管下方的后互连结构；以及 中间带区域，位于所述第一静态随机存取存储器胞元与所述第二静态随机存取存储器胞元之间， 其中所述中间带区域在第一边界上邻接所述第一静态随机存取存储器胞元且在与所述第一边界相对的第二边界上邻接所述第二静态随机存取存储器胞元， 其中所述第一静态随机存取存储器胞元包括在所述第一边界上的第一接触件，且所述第二静态随机存取存储器胞元包括在所述第二边界上的第二接触件，且 其中所述中间带区域包括： 多个栅极堆叠及多个介电栅极，沿着第一方向纵向延伸且以栅极间距GP均匀分布， 栅极隔离结构，沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸， 第三接触件，被所述栅极隔离结构包围，以及 馈通通孔，从俯视图看与所述栅极隔离结构接触且被所述栅极隔离结构包围， 其中所述馈通通孔落在所述第三接触件的底表面上且通过所述第三接触件电耦接所述前互连结构及所述后互连结构， 其中所述第一边界与所述第二边界之间的距离等于或小于约9GP。

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