买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种高迁移率p型二维WS2的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411134323.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种高迁移率p型二维WS2的制备方法是由冯丽萍;于潇;王锡桐;姚雨涵设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高迁移率p型二维WS2的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高迁移率p型二维WS2的制备方法，以及高迁移率p型二维WS2和应用，通过使用WO3和S作为制备WS2的反应前驱体，以氨水作为溶剂进行液相辅助，抑制WS2的二次形核和纵向生长，促进WS2横向生长的进行，从而更有利于大尺寸、单层二维WS2的制备。使用空间限域，从而为二维WS2的生长过程提供了充足的前驱体源。由于反应在一个富S的条件下进行，因此二维WS2中会存在一定的W空位，从而引入受主能级，使二维WS2呈现p型导电特性。以本发明所制得的二维WS2制备的p型场效应晶体管具有高的空穴迁移率和大的开关比。

本发明授权一种高迁移率p型二维WS2的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高迁移率p型二维WS2的制备方法，其特征在于步骤如下： 步骤1：以氨水作为溶剂与WO3配制WO3的前驱体溶液； 步骤2：将前驱体溶液，滴0.3～0.5ml在SiO2Si衬底的SiO2表面； 步骤3：将衬底烘干，烘干加热温度为80～100℃；然后，将衬底放置于套管内；然后在衬底上覆盖另一片SiO2Si衬底，一并推入石英管内； 步骤4：在载气通入的方向、套管的一侧放入石英舟；所述石英舟内有S粉； 步骤5：将石英管放到单温区管式炉内，拧紧石英管两端的法兰，并将石英管抽真空至压强为6～10Pa；然后通入180～220sccm流量的高纯Ar气5-10min，使石英管内为常压状态； 步骤6：在常压状态下，调整Ar气流量到80～120sccm，设置单温区管式炉温控程序，先加热套管到500～600℃，保温10～25min，在保温结束时将Ar气流量调至30～60sccm； 步骤7：再加热套管到700～850℃时，此时打开硫粉的加热带，并将加热带的温度设置为130～180℃；再加热套管到900～1000℃，同时使硫粉也达到预设的加热温度； 步骤8：将Ar气调至20～30sccm，通入高纯H2气10～20sccm，同时关闭套管右侧的阀门，保持该沉积条件8～15min；关闭加热装置，随炉冷却至室温，在SiO2Si衬底的SiO2表面得到高迁移率p型二维WS2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北工业大学，其通讯地址为：710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。