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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119029042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411122088.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆是由彭安贤;史田超;邓辉设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：衬底，包括沿第一方向延伸的第一区和位于第一区相对两侧的第二区；半导体外延层，位于第二区的半导体外延层包括依次远离衬底的漂移区、体区和第一掺杂类型接触区；位于第一区的半导体外延层包括依次远离衬底的漂移区和第二掺杂类型接触区；栅极沟槽，位于半导体外延层远离衬底一侧的表面，并沿第二方向延伸，沟槽栅结构位于沟槽中；屏蔽层，位于沟槽栅结构底部；连接柱，位于沟槽栅结构至少一侧，用于连通屏蔽层和第二掺杂类型接触区；第一电极，与第一和第二掺杂类型接触区接触；本发明提供的技术方案降低了器件的导通电阻和体积，提高了器件的击穿电压。

本发明授权一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 半导体外延层，位于所述衬底的一侧；其中，所述衬底包括沿着第一方向延伸的第一区和位于所述第一区相对两侧的第二区；位于所述第二区的半导体外延层包括依次远离所述衬底的漂移区、体区和第一掺杂类型接触区；位于所述第一区的半导体外延层包括依次远离所述衬底的漂移区和第二掺杂类型接触区； 栅极沟槽和沟槽栅结构；所述栅极沟槽位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面，并沿第二方向延伸；所述沟槽栅结构位于所述栅极沟槽中；所述第二方向与所述第一方向交叉； 屏蔽层，位于所述半导体外延层中，且位于所述沟槽栅结构的底部； 连接柱，位于所述半导体外延层中，且位于所述沟槽栅结构的至少一侧，所述连接柱用于连通所述屏蔽层和所述第二掺杂类型接触区；所述连接柱沿着所述第二方向延伸；位于所述第二区的连接柱在与所述第二方向垂直的平面中呈柱状，顶部与所述体区接触，并与所述屏蔽层在所述第一方向上间隔设置；位于所述第一区的连接柱在与所述第二方向垂直的平面中呈倒T形，顶部与所述第二掺杂类型接触区接触，底部包括与相邻的屏蔽层连接的延伸部； 第一电极，位于所述衬底远离所述半导体外延层的一侧，并与所述第一掺杂类型接触区和所述第二掺杂类型接触区接触； 第二电极，位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面。

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