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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种氮化镓IMPATT二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092555B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411115683.5，技术领域涉及：H10D8/40；该发明授权一种氮化镓IMPATT二极管及其制备方法是由杨林安;周建华;黄旋;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓IMPATT二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化镓IMPATT二极管及其制备方法，通过在第二区域的雪崩区的上表面设置肖特基接触电极，在第一区域的远离第二区域的外表面覆盖欧姆接触电极，实现了使用金属层做硬质掩膜进行刻蚀保护，使得用于制作阴极的欧姆接触电极和阳极肖特基接触电极与有源区侧壁平齐，实现了器件刻蚀过程中的自对准；此外，第一钝化层和肖特基接触电极上的场板金属形成场板结构，自对准场板结构可以有效改善靠近阳极金属边缘处的半导体内容易出现的电场集中现象，使得电荷均匀出现在阳极下方，电场分布更加均匀，减小了反向漏电，进而提高了氮化镓IMPATT二极管的击穿电压，使其更加逼近理想的雪崩击穿电压值，最终实现更优的交流振荡特性。

本发明授权一种氮化镓IMPATT二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓IMPATT二极管，其特征在于，所述氮化镓IMPATT二极管为左右对称结构，包括：从下至上依次设置的衬底层1、AlN成核层2、GaN缓冲层3以及n++-GaN欧姆接触层4； 所述n++-GaN欧姆接触层4上设置有第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域和所述第三区域沿着所述第二区域的垂直中轴线左右对称分布；所述n++-GaN欧姆接触层4的上表面设置有第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽为L型沟槽且设置于所述n++-GaN欧姆接触层4上表面的一侧；所述第一区域设置于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；所述第二沟槽设置于所述第一区域和所述第二区域之间； 所述第一区域和所述第二区域均包括：从下至上依次设置的n-GaN漂移区5、n+-GaN雪崩终止区6以及n-GaN雪崩区7；所述第二区域还设置有肖特基接触电极9；所述肖特基接触电极9位于所述第二区域的n-GaN雪崩区7的上表面；所述第二区域的n+-GaN雪崩终止区6、n-GaN雪崩区7以及肖特基接触电极9宽度相等，且小于第二区域的n-GaN漂移区5的宽度； 所述第一区域的n-GaN漂移区5、n+-GaN雪崩终止区6以及n-GaN雪崩区7宽度相等；所述第一沟槽内以及所述第一区域在远离所述第二区域的外表面覆盖有欧姆接触电极8；所述第二区域向上的外表面覆盖有第一钝化层10；所述第一钝化层10沿所述第二区域的垂直中轴线设置有第一缺口；所述第一钝化层10向上的外表面覆盖有场板金属11；所述场板金属11沿着所述第一缺口与所述肖特基接触电极9接触；所述第二沟槽内、所述欧姆接触电极8的外表面部分区域、所述场板金属11的外表面、所述第二区域的外表面、所述第一区域的外表面均覆盖有第二钝化层12；第二钝化层12沿所述第二区域的垂直中轴线设置有第二缺口。

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