长鑫科技集团股份有限公司张伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种封装后修复电路和一种测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118918936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411055238.4，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权一种封装后修复电路和一种测试方法是由张伟设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装后修复电路和一种测试方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种一种封装后修复电路和一种测试方法，其中，封装后修复电路包括：使能电路，被配置为，接收模式寄存器的寄存码生成测试模式进入信号，当测试模式进入信号有效时，指示存储器进入测试模式；地址解码器，被配置为，接收命令信号，并根据命令信号中的N位进行解码，生成对应的测试地址和测试值；熔丝电路，被配置为，根据接收的测试地址、测试值对熔丝进行烧写，并广播读出熔丝的值至第三模式寄存器。这样，通过设置模式寄存器的寄存码为预设值，可以指示存储器进入测试模式，即用户期望的特殊模式，用户可以通过烧写熔丝，实现对特殊模式的设置和切换，不需要在DRAM芯片上设置额外的焊盘，提高了芯片的集成度。
本发明授权一种封装后修复电路和一种测试方法在权利要求书中公布了：1.一种封装后修复电路，其特征在于，包括： 使能电路，被配置为，接收模式寄存器的寄存码生成测试模式进入信号，当所述测试模式进入信号有效时，指示存储器进入测试模式； 地址解码器，被配置为，接收命令信号，并根据所述命令信号中的N位进行解码，生成对应的测试地址和测试值； 熔丝电路，被配置为，根据接收的所述测试地址、所述测试值对熔丝进行烧写，并广播读出所述熔丝的值至第三模式寄存器。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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