佛山市中山大学研究院;中山大学裴艳丽获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市中山大学研究院;中山大学申请的专利一种ε-Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411037412.2，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种ε-Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法是由裴艳丽;费泽元;陈梓敏;王钢设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ε-Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ε‑Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法，新材料制备的探测器，针对现有技术功耗高等问题提出本方案。包括依次层叠设置的顶电极、NiO薄膜、ε‑Ga2O3本征层、4H‑SiC衬底和底电极。制备步骤包括：4H‑SiC衬底预处理；金属有机化学气相沉积ε‑Ga2O3本征层；射频磁控溅射NiO薄膜；电子束蒸发制备顶电极、底电极。优点在于，Ga2O3的使用量降低，能降低功耗。在4H‑SiC衬底上生长ε‑Ga2O3，基于SiC具有4.9Wcm·K的优异热导率，ε‑Ga2O3本征层大量的热量可从4H‑SiC衬底中传递解决。同时，正交结构的ε‑Ga2O3晶体与4H‑SiC的面内晶格常数差较小，可以提高ε‑Ga2O3本征层的结晶质量，进而提高光电探测器的探测性能。
本发明授权一种ε-Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ε-Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器，其特征在于，包括从上至下依次层叠设置的顶电极10、NiO薄膜20、ε-Ga2O3本征层30、4H-SiC衬底40和底电极50；其中NiO薄膜20作为P型层、ε-Ga2O3本征层30作为光吸收层、4H-SiC衬底40作为N型层，从而构成PIN结构异质结； 所述NiO薄膜20为圆台结构，所述顶电极10为圆环结构；顶电极10的外边缘与NiO薄膜20的外边缘在垂直位置上对齐； 所述NiO薄膜20在一侧延伸出承托部21；所述顶电极10在承托部21上方延伸出焊金部11。
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