中南大学张明瑜获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种硅碳负极复合材料及其制备方法与在锂离子电池中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118877885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410936979.7，技术领域涉及：C01B32/21；该发明授权一种硅碳负极复合材料及其制备方法与在锂离子电池中的应用是由张明瑜;徐平;苏哲安;黄启忠;郭丁榕设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅碳负极复合材料及其制备方法与在锂离子电池中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅碳负极复合材料及其制备方法与在锂离子电池中的应用。该制备方法包括：以物理气相沉积法在高温负压环境下以硅粉为原料产生硅蒸汽，然后在载气气流的吹扫下在低温区沉积在碳材料基底上；最后以碳氢气体为原料，通过化学气相沉积法在材料表层形成碳包覆层，最终得到硅碳负极复合材料。这种硅碳负极复合材料内部的硅‑碳界面为通过Si‑C化学键连接的面对面式结合。利用这种化学键强结合可以抑制硅在嵌锂过程中产生的体积膨胀，同时也可以增强电子离子在硅‑碳界面上的转移，有效增强了这种材料作为负极材料的储锂性能。
本发明授权一种硅碳负极复合材料及其制备方法与在锂离子电池中的应用在权利要求书中公布了：1.一种硅碳负极复合材料的制备方法，包括如下步骤： 步骤S1：将硅粉放置于物理气相沉积炉的高温蒸发区，碳材料基底放置于物理气相沉积炉的低温沉积区； 然后对高温蒸发区和低温沉积区抽真空， 接着对高温蒸发区和低温沉积区进行升温，分别升至目标温度后，通入惰性气体，同时控制压力进行沉积，使硅沉积在碳材料基底表面，在该沉积过程中硅和碳材料基底通过Si-C化学键以面对面的方式结合，得到含有Si-C化学键结合层的碳材料纳米硅复合粉体； 步骤S2：取步骤S1中制得的碳材料纳米硅复合粉体置于化学气相沉积炉中，然后抽真空，将炉内温度升至目标温度，通入碳氢气体惰性气体混合气进行化学气相沉积，以在碳材料纳米硅复合粉体的外表面形成碳包覆层，最终得到硅碳负极复合材料。
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