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龙图腾网获悉无锡众能光储科技有限公司申请的专利一种高质量大面积钙钛矿薄膜及组件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117998944B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410202059.2，技术领域涉及：H10K71/16；该发明授权一种高质量大面积钙钛矿薄膜及组件的制备方法是由董庆顺设计研发完成，并于2024-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高质量大面积钙钛矿薄膜及组件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高质量大面积钙钛矿薄膜及组件的制备方法，包括钙钛矿太阳能组件，所述钙钛矿太阳能组件包括导电基底、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层，空穴阻挡层和金属电极；具体包括以下步骤：步骤一：将所述导电基底清洁及准备，用P1激光刻蚀；步骤二：在步骤一所述的导电基底上磁控溅射氧化镍NiOx空穴传输层；步骤三：在步骤二所述的空穴传输层上涂布溶液，制备宽带隙钙钛矿薄膜；步骤四及步骤五：在涂覆好的宽带隙钙钛矿薄膜上继续真空沉积CsI和PbI2薄膜，并涂覆有机盐溶液，制备窄带隙钙钛矿薄膜。步骤六至步骤九：真空蒸镀C60电子传输层、BCP修饰层及Cu电极，并进行P2P3刻蚀。

本发明授权一种高质量大面积钙钛矿薄膜及组件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高质量大面积钙钛矿薄膜及组件的制备方法，其特征在于：包括钙钛矿太阳能组件，所述钙钛矿太阳能组件包括导电基底、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层，空穴阻挡层和金属电极； 具体包括以下步骤： 步骤一：将所述导电基底清洁及准备，用P1激光刻蚀； 步骤二：在步骤一所述的导电基底上磁控溅射氧化镍NiOx空穴传输层； 步骤三：在步骤二所述的空穴传输层上涂布溶液，制备宽带隙钙钛矿薄膜： 步骤四：在步骤三所述的钙钛矿薄膜基础上分别真空沉积CsI和PbI2薄膜； 步骤五：在步骤四所述的沉积薄膜基础上涂布有机盐溶液，制备窄带隙钙钛矿薄膜；在制备窄带隙钙钛矿薄膜的过程中，使用溶液涂布的方式涂覆有机阳离子，其中有机阳离子含有浓度为100mgml的DMPU溶剂； 步骤六：在步骤五制备好的钙钛矿薄膜上蒸镀电子传输层C60及修饰层浴铜灵BCP； 步骤七：将上述制备好的样品进行P2激光刻蚀； 步骤八：对步骤七中刻蚀好的样品蒸镀铜Cu电极； 步骤九：将步骤八中蒸镀好的Cu电极进行P3激光刻蚀。

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