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龙图腾网获悉电子科技大学;成都炎芯微电子有限公司申请的专利一种盒状间接加热型相变开关器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117998974B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410055375.1，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种盒状间接加热型相变开关器件的制备方法是由高莉彬;韩笑莘;孙延龙;陈宏伟;张继华设计研发完成，并于2024-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种盒状间接加热型相变开关器件的制备方法在说明书摘要公布了：一种盒状间接加热型相变开关器件的制备方法，属于微波电子学和微波开关器件技术领域。本发明提供的一种盒状间接加热型相变开关器件的制备方法，采用光刻工艺和磁控溅射，形成了四端包围间接加热式器件，即实现了加热材料对相变层的全包围；当加热层材料在电脉冲控制作用下产生焦耳热后，相较于普通相变开关器件，会实现快速升温且能均匀加热相变层材料，大幅缩短了相变开关的处理信息周期时间，使相变材料的工作状态更加稳定，可以快速切换状态。

本发明授权一种盒状间接加热型相变开关器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种盒状间接加热型相变开关器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、在衬底上形成一层衬底隔离层； 步骤2、在衬底隔离层上进行光刻图形化并磁控溅射加热层薄膜，形成第一加热层；所述第一加热层为矩形，第一加热层与衬底隔离层为同心矩形； 步骤3、采用光刻工艺和沉积工艺在衬底隔离层上、第一加热层两侧形成第一加热隔离层；所述第一加热隔离层的一端与衬底隔离层的边缘齐平、另一端紧贴第一加热层，第一加热隔离层的宽度小于第一加热层的宽度； 步骤4、采用光刻工艺和沉积工艺在第一加热层上形成第二加热隔离层；所述第二加热隔离层为长条形，第二加热隔离层与第一加热隔离层垂直、且其两端与衬底隔离层的两端齐平，第二加热隔离层不完全覆盖第一加热层； 步骤5、采用光刻工艺和磁控溅射，在第二加热隔离层上形成相变层；所述相变层为矩形，相变层与第一加热层为同心矩形，且第一加热层与第二加热隔离层的重叠区域完全覆盖相变层； 步骤6、采用光刻工艺和磁控溅射，在相变层两侧形成信号传输电极层，信号传输电极层包括位于相变层一侧的第一信号传输电极和位于相变层另一侧的第二信号传输电极，第一信号传输电极和第二信号传输电极的一端与第二加热隔离层的边缘齐平、另一端紧贴相变层； 步骤7、采用光刻剥离工艺和沉积工艺，在相变层上形成第三加热隔离层；所述第三加热隔离层完全覆盖相变层； 步骤8、在第三加热隔离层上、第一加热隔离层上和部分第一加热层上沉积加热层薄膜，作为第二加热层；所述第二加热层与第一加热层连接，实现对相变材料的全包围；得到的结构经退火处理后，得到所述相变开关器件。

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