江西万年芯微电子有限公司王雨静获国家专利权
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龙图腾网获悉江西万年芯微电子有限公司申请的专利一种覆铜陶瓷基板铜层线路的侧面蚀刻方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117393497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311454789.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种覆铜陶瓷基板铜层线路的侧面蚀刻方法及其应用是由王雨静;石海忠设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种覆铜陶瓷基板铜层线路的侧面蚀刻方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种覆铜陶瓷基板铜层线路的侧面蚀刻方法及其应用，涉及半导体封装的覆铜陶瓷基板领域。本发明的侧面蚀刻方法包括以下步骤：对铜层烧结面进行曝光显影，对其非线路区域进行一次蚀刻；所述的一次蚀刻的蚀刻深度为铜层厚度的12‑23；将铜层烧结面和陶瓷层进行高温烧结为一体，得到覆铜陶瓷基板半成品；对覆铜陶瓷基板半成品进行曝光显影，在其非线路区域进行二次蚀刻，使铜层正面和背面的非线路区域贯穿。本发明的覆铜陶瓷基板铜层侧面爬坡尺寸小、在保证相邻铜层线路底部之间击穿距离的同时可以缩小整体尺寸，降低成本；得到的铜层蚀刻面在封装时可以形成独特的锁定结构，减少线路表面的分层问题。
本发明授权一种覆铜陶瓷基板铜层线路的侧面蚀刻方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种覆铜陶瓷基板中铜层线路的侧面蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：对上层铜层的背面和下层铜层的正面按照线路设计进行一次曝光显影，对其非线路区域进行一次蚀刻；所述的一次蚀刻的蚀刻深度为铜层厚度的12-23；所述的一次蚀刻采用蚀刻液进行蚀刻； S2：将一次蚀刻后的上层铜层的背面和下层铜层的正面和陶瓷层进行高温烧结为一体，得到覆铜陶瓷基板半成品； S3：对S2得到的覆铜陶瓷基板半成品中上层铜层的正面和下层铜层的背面按照线路设计进行二次曝光显影，在其非线路区域进行二次蚀刻，使上层铜层和下层铜层的正面和背面的非线路区域贯穿；所述的二次蚀刻采用蚀刻液进行蚀刻；所述的覆铜陶瓷基板的上层铜层和下层铜层的蚀刻侧面呈凸起结构，所述的凸起结构为尖角型凸起或不规则波浪形。
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